Wzmacniacz klasy E na zakres CB

• Autorzy: Mikołajewski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2016.09.04

Warianty tytułu

EN

A class E amplifier for CB band

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Istotnym problemem utrudniającym zastosowanie wysokosprawnego rezonanasowego wzmacniacza klasy E w technice nadawczej jest konieczność opracowania odpowiednich obwodów wejściowych i wyjściowych wzmacniacza, które zapewnią jego poprawną pracę w dostatecznie szerokim paśmie częstotliwości. W artykule przedstawiono wyniki prac związanych z opracowaniem i budową ekonomicznego doświadczalnego wzmacniacza klasy E o poszerzonym paśmie pracy na zakres częstotliwości CB. Skonstruowany układ osiągał w paśmie 24 - 30 MHZ moc wyjściową 12 W (z nierównomiernością charakterystyki mocy – 0,14 dB +0,4 dB) dla napięcia zasilania EZ = 12 V =const. uzyskując drenową sprawność energetyczną od 0,83 do 0,95. Przedstawione wyniki badań mogą być użyteczne przy konstruowaniu wzmacniaczy klasy E przeznaczonych do pracy w urządzeniach nadawczych o mocy do kilkudziesięciu watów na zakres częstotliwości pracy do kilkudziesięciu MHz.

EN

Appliction of high-efficiency resonant Class E amplifiers to radiotransmitters is limited by difficulties in designig input and output wideband matching circuits. The paper presents results obtained for a wideband Class E designed to operate in CB band. The nominal output power of the built amplifier was PO= 12W in 24-30 MHz band with power flatness - 0.14 dB +0.4 dB for the supply voltage EZ=12V. The measured drain efficiency was in the range from 0.83 to 0.95. The circuit can find applications in practical transmitters operating with the ouput power up to a few tens of watts in the megahertz range.

Słowa kluczowe

PL

szerokopasmowy wzmacniacz; nadajnik CB; wzmacniacz klasy E

EN

broadband Class E amplifier; CB transmitter

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2016
• Tom: R. 92, nr 9
• Strony: 16--19
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz,. wykr.

Twórcy

autor

Mikołajewski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki i Technik Multimedialnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Everard J.K.A., King A.J., Broadband power efficient Class E amplifier with a non-linear CAD model of the active MOS device, J. of the Inst. of Electronic and Radio Eng., vol. 57, 52- 58, March/April 1987
• [2] Raab F.H., Broadband Class-E power amplifier for HF and VHF, IEEE MTT-S Int. Dig., San Francisco, CA, 902-905, 2006
• [3] Grebiennikov A.V. and Sokal N.O., Switchmode RF power amplifiers, Newnes, (2007), 269-280
• [4] Kumar N., Prakash C., Grebiennikov A., Mediano A., Higheficiency broadband parallel-circuit Class E RF power amplifier with reactance-compensation technique, IEEE Trans. on MTT., vol. 56, no. 3, 604-612, March 2008
• [5] Kang M.. Kang I.M., Shin H., Extraction and modeling of physics-based gate resistance components in rf MOSFETs, SiRF, (2006), 218-221
• [6] Mikołajewski M., A Transformer Class E Amplifier, AEE, PAN, vol. 63, (2014), nr 4, 621-633

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.