PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Laserowa korekcja kompozytowych rezystorów grubowarstwowych opartych na nanoformach węgla

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Laser trimming of thick film composite resistors based on nanoforms of carbon
Języki publikacji
PL EN
Abstrakty
PL
W artykule przedstawiono zagadnienia związane z korekcją elementów biernych metodą piaskową oraz laserową. Wytworzono polimerowe rezystory z trzech rodzajów past rezystywnych: grafenowej, grafitowej i z nanorurek węglowych oraz sprawdzono ich właściwości, m.in. wartości rezystancji, TWR oraz grubości warstw. Przeprowadzono korekcję laserową polegającą na nacinaniu warstwy rezystywnej oraz wykonano szereg badań mających na celu sprawdzenie zmian właściwości elementów biernych po korekcji. Poddano analizie uzyskane wyniki badań pod kątem efektywności korekcji laserowej rezystorów z trzech badanych materiałów.
EN
This paper examines issues related to the correction of resistors using the abrasive and laser methods. Three types of resistors, i.e. graphene, graphite and carbon nanotube resistors, were manufactured and their properties such as resistance, TWR and thickness of resistive layers were measured. Laser correction involving cutting of the resistive layer was performed. This part of work included the execution of a series of tests to verify changes in the properties of passive components after trimming. As the final step, the obtained results were analyzed to check the efficiency of laser correction of the resistors based on the three tested materials.
Rocznik
Strony
25--31
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., tab.
Twórcy
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
  • Wydział Mechatroniki Politechniki Warszawskiej ul. Św. Andrzeja Boboli 8, 02-525 Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
autor
  • Wydział Mechatroniki Politechniki Warszawskiej ul. Św. Andrzeja Boboli 8, 02-525 Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
Bibliografia
  • [1] Praca zbiorowa pod redakcją Janke W., Jakubowska M., Kulawik J., Stadler A., Technologia grubowarstwowa – wybrane zagadnienia, Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, Koszalin 2011, str. 67 - 98
  • [2] Achmatowicz S., Jakubowska M.: The adjustment of thick film components and circuits, Handbook of Thick Film Technology, , Ayr, Scotland, Electrochemical Limited, 2005, 978-0904705379
  • [3] Góral A.: Technika warstwowa w mikroelektronice, Warszawa, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, 1973
  • [4] Miś E.: Wytwarzanie i właściwości strukturalne, elektryczne oraz stabilność miniaturowych elementów biernych na potrzeby technologii grubowarstwowej i LTCC, Rozprawa doktorska, 2008, Politechnika Wrocławska, Wrocław, 8 - 20, 26-28
  • [5] Szczepański Z., Okoniewski S.: Technologia i materiałoznawstwo dla elektroników, 3, Warszawa, WSiP, 2007, 978-83-02-09879-6, 78-81, 177 - 188
  • [6] Dybowska Ł.: Badanie procesu korekcji laserowej kompozytowych rezystorów grubowarstwowych, Praca dyplomowa inżynierska, 2013, Politechnika Warszawska, Warszawa
  • [7] Stanclik J.: Elementy bierne i podzespoły elektroniczne, Karkonoskie Towarzystwo Naukowe Kolegium Karkonoskie, Jelenia Góra 2005
  • [8] Golonka L., Cermetowe rezystory grubowarstwowe, Wrocław 1991, Wydawnictwo Politechniki Wrocławskiej
  • [9] Dybowska Ł., Właściwości rezystorów grubowarstwowych, Praca przejściowa, 2013, Politechnika Warszawska, Warszawa
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-9ec9c212-0a15-4f03-a34a-d09706bd7a28
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.