Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET

• Autorzy: Płatek T. , Niewiadomski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/74.2018.12.2

Warianty tytułu

EN

Determination of heat losses in MOSFET power transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodę umożliwiającą pomiary dla dowolnych napięć w obwodzie DC w warunkach rzeczywistych pracy tranzystorów. Metoda prezentowana umożliwia wyznaczenie sumarycznej energii przełączeń uśrednionych za okres pracy układu tranzystor - dioda.

EN

A method enabling measurements of any voltage in the DC circuit under real operating conditions of transistors has been presented. The presented method allows to determine the total energy of switching averaged over the operating period of the transistor - diode system.

Słowa kluczowe

PL

układy energoelektroniczne; tranzystory mocy typu MOSFET; wyznaczanie strat cieplnych

EN

power electronic system; MOSFET power transistors; determination of thermal losses

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 86, nr 12
• Strony: 7--9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Płatek T.

• Wydział Elektryczny Politechniki Warszawskiej

autor

Niewiadomski M.

• MEDCOM Sp. z o.o., Warszawa

Bibliografia

• [1] Barlik R., J. Rąbkowski, T. Płatek. 2011. "Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si-IGBT i diod Schottky’ego z SiC". Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania, 9, 202-206.
• [2] Grzejszczak P., R. Barlik. 2016. “The Description of Turn-off Process and Evaluation of Switcing Power Losses in the Ultra Fast Power MOSFET". Power electronics and driver, 1(36), 1, DOI: 10.5277/PED160104.
• [3] Rąbkowski J., T. Płatek. 2016. “A study on power losses of the 50 kVA SiC converter including reverse conduction phenomenon". Bulletin of the Polish Academy of Sciences-Technical Sciences, 64, 1-8.