PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Analytical description of nonlinear capacitance of high-voltage power switches in estimating switching losses
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono sposób analitycznego wyznaczania pojemności wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET i diod Schottky’ego SiC, stosowanych w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Silna nieliniowość oraz trudności w pomiarach sprawiają, że zwykle wykorzystywane są wartości zastępcze tych pojemności, nieprowadzące do poprawnych obliczeń mocy strat łączeniowych. Zaproponowany sposób charakteryzowania pojemności prowadzi do uściślenia wyników, co zostało zweryfikowane w badaniach symulacyjnych i eksperymentalnych.
EN
The paper presents specific problems of analytic approach to determining capacitances of high-voltage MOSFET and Schottky diodes. Strong non-linearity of these capacitances leads to real problems in design calculations for high frequency converters because inadequate value of capacitance is taken into account. The proposed method of based on the approximation of data curves using an analytic function offers a significant improvement of calculation results. This has been verified with simulations and laboratory measurement test.
Rocznik
Strony
74--77
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., schem., wykr.
Twórcy
  • Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
autor
  • Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
autor
  • Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
Bibliografia
  • [1] Rąbkowski J., Peftitsis D., Nee H.-P., "Parallel-Operation of Discrete SiC BJTs in a 6-kW/250-kHz DC/DC Boost Converter," IEEE Trans. on Power Electron., 29 (2014), n. 5, 2482-2491
  • [2] Kolar J. W. i inni, "Extreme efficiency power electronics," in Proc. of the 7th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, (2012), 1-22
  • [3] Kakitani H., Takeda R., "Selecting the Best Power device for Power electronics circuit design through gate charge characterization," Bodo's Power Systems, (2014) n. 5, 55-59
  • [4] Krismer F., "Modeling and Optimization of Bidirectional Dual Active Bridge DC–DC Converter Topologies," ETH Zurich, PHD Thesis, 2011.
  • [5] Infineon, Nota katalogowa tranzystora MOSFET CoolMOS IPW60R070C6, rev. 2.1, (2010)
  • [6] CREE, Nota katalogowa diody Schottky’ego z węglika krzemu C3D20060D, (2010)
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-9e563996-10e6-430d-bd06-fa1138a8f1fb
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.