Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

• Autorzy: Żelazko J. , Kamiński P. , Kozłowski R.

Warianty tytułu

EN

Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

Opisano procedurę numeryczną CONTIN zastosowaną do wyznaczania temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych w półprzewodnikach o wysokiej rezystywności. Zależności te są wizualizowane poprzez prążki widmowe powstające w wyniku przekształcenia relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Określono wpływ parametrów sterujących procesem obliczeniowym na kształt i intensywność prążków widmowych.

EN

The CONTIN numerical procedure applied to determine the temperature dependence of the charge carriers emission rate from defect centers in high resistivity semiconductors is presented. This relationship is visualized as spectral fringes formed through the transformation of the photocurrent relaxation waveforms. The influence of the parameters controlling the numerical procedure on the shape and intensity of the spectral fringes is determined.

Słowa kluczowe

PL

HRPITS; CONTIN; radiacyjne centra defektowe; prążki widmowe

EN

HRPITS; CONTIN; radiation defect centres; spectral fringes

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2015
• Tom: T. 43, nr 4
• Strony: 18--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Żelazko J.

• Institute of Electronic Materials Technology, 133 Wolczynska Str., 01-919 Warsaw, POLAND

autor

Kamiński P.

• Institute of Electronic Materials Technology, 133 Wolczynska Str., 01-919 Warsaw, POLAND

autor

Kozłowski R.

• Institute of Electronic Materials Technology, 133 Wolczynska Str., 01-919 Warsaw, POLAND

Bibliografia

• [1] Provencher S. W.: CONTIN: A general purpose program for inverting noisy linear algebraic and integral equations, Comp. Phys. Comm., 1982, 27, 229 – 242
• [2] Provencher S. W.: A constrained regularization method for inverting data represented by linear algebraic or integral equations, Comp. Phys. Comm., 1982, 27, 213 – 227
• [3] Provencher S. W.: CONTIN Users Manual, EMBL Technical Report DA05, European Molecular Biology Laboratory, 1982
• [4] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M.: Intelligent measuring system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy, Metrology and Measurements Systems, 2005, 12, 2, 207
• [5] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Kozubal M., Żelazko J.: Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace’a, Materiały Elektroniczne, 2006, 34, 1/2, 48 – 75
• [6] Pawłowski M.: Obrazowanie struktury defektowej materiałów pólizolujących z wykorzystaniem niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej, Wydawnictwo Wojskowej Akademii Technicznej, 2007
• [7] Żelazko J., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Miczuga M.: Zastosowanie graficznego środowiska programistycznego w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o dużej rozdzielczości, Przegląd Elektrotechniczny, 2008, 84, 5, 305 – 308
• [8] Kozłowski R., Kamiński P., Żelazko J.: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych otrzymywanych w wyniku relaksacyjnych przebiegów fotoprądu, Materiały Elektroniczne, 2012, 40, 1, 19 – 33
• [9] Kamiński P., Kozłowski R., Krupka J., Kozubal M., Wodzyński M., Żelazko J.: Głębokie centra defektowe o bardzo wysokiej rezystywności, Materiały Elektroniczne, 2014, 42, 4, 16 – 24
• [10] Kamiński P., Kozłowski R., Żelazko J.: Chacterization of radiation defect centers in neutron irradiated Si using inverse Laplace transformation to analysis of photocurrent relaxation waveforms, Acta Physica Polonica A, 2014, 125, 976 – 981
• [11] Markevich V. P., Peaker A. R., Lastovskii S. B., Murin L. I., Coutinho J., Torres V. J. B., Briddon P. R., Dobaczewski L., Monakhov E. V., Svensson B. G.: Trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Experiments and ab initio modeling, Phys. Rev. B, 2009, 80, 235207
• [12] Krupka J., Karcz W., Avdeyev S. P., Kamiński P., Kozłowski R.: Electrical properties of deuteron irradiated high resistivity silicon, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 2014, 325, 107 – 117