Badanie materiałów fotowoltaicznych z wykorzystaniem urządzenia Sherescan

• Autorzy: Musztyfaga-Staszuk M. , Tański T.

Warianty tytułu

EN

Testing of photovoltaic materials with the use of Sherescan device

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki badań parametrów krzemowej płytki półprzewodnikowej, takich jak typ przewodności p/n i rezystancję powierzchniową warstwy dyfuzyjnej emitera oraz parametry wytwarzanego ogniwa fotowoltaicznego, takie jak rezystancja kontaktu na styku metal - półprzewodnik z zastosowaniem urządzenia „Sherescan”.

EN

Presented are testing results of a semiconductor silicon wafer parameters such as p/n type conductivity and surface resistance of an emitter diffusion layer as well as the parameters of the produced photovoltaic cell like the contact resistance of a metal - semiconductor junction with the use of Sherescan device.

Słowa kluczowe

PL

fotowoltaika; materiały fotowoltaiczne; połączenia emiter-podłoże

EN

photovoltaics; photovoltaic material; E/B junction

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Energia [Stowarzyszenie Elektryków Polskich - COSiW]
• Czasopismo: Energetyka
• Rocznik: 2015
• Tom: nr 1
• Strony: 37--39
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys.

Twórcy

autor

Musztyfaga-Staszuk M.

• Politechnika Śląska, Wydział Mechaniczny Technologiczny, Katedra Spawalnictwa

autor

Tański T.

• Politechnika Śląska, Wydział Mechaniczny Technologiczny, Instytut Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych

Bibliografia

• [1] Musztyfaga M., Mikroobróbka laserowa elementów krzemowych ogniw fotowoltaicznych, Praca doktorska niepublikowana, Biblioteka Główna Politechniki Śląskiej, Gliwice 2011.
• [2] Green M.A., Technology and System Applications: Solar cells. Operating Principles, The University of New South Wales, Kensington 1986.
• [3] Landis G.A., Optimization of Tapered Busses for Solar Cell Contacts, Solar Energy 22, (1979), p. 401-402.
• [4] Harder N.P., Hermann S., Merkle A., Neubert Т., Brendemühl Т., Engelhart P., Meyer R., Brendel R., Laser-processed high-efficiency silicon RISE-EWT solar cells and characterization, Physica Status, Solid C6 (3), (2009), p. 736-743.
• [5] Świt A., Pułtorak J., Przyrządy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa 1979.
• [6] Information on http://www.sunlab.nl
• [7] Information on http://www.mechatronics.nl/products/sherescan/ index.htm
• [8] Jarzębski Z.M., Energia słoneczna: Konwersja fotowoltaiczna, PWN, Warszawa 1990.
• [9] Rodacki Т., Kandyba A., Przetwarzanie energii w elektrowniach słonecznych, Wydawnictwo Politechniki Śląskiej, Gliwice 2000.
• [10] Klugmann E., Klugmann-Radziemska E., Alternatywne źródła energii, energetyka fotowoltaiczna, Wydaw. Ekonomia i Środowisko, Białystok 1999.
• [11] Schulz-Ruhtenberg M., Haeberle A., Russell R., Hernändez J.L., Krantz S., Influence of the pulse width for visible pulsed laser doping for crystalline solar cells using phosphosilicate glass, JLMN-Journal of Laser Micro/Nanoengineering 6(1), (2011), p. 64-68.
• [12] Trusheima D., Schulz-Ruhtenberga M., Baier T., Krantz S., Bauer D., Das J., Investigation of the influence of pulse duration in laser processes for solar cells, Physics Procedia 12, (2011), p. 278-285.
• [13] Kuźmicz W., Projektowanie analogowych układów scalonych, Wyd. 2 zm., Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa 1985.
• [14] Kowtoniuk F., Koncewoj J.A., Pomiary parametrów materiałów półprzewodnikowych, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa 1973.
• [15] Panek P., Kształtowanie struktury krzemu porowatego w aspekcie własności elektrycznych i optycznych ogniwa słonecznego, Praca doktorska niepublikowana, Biblioteka Instytutu Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków 2006.