PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Photothermal transformation in heterogeneous semiconductors structures under its pulse laser irradiation: role of electron-hole diffusion

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Transformacja fototermiczna w heterogenicznych strukturach półprzewodnikowych przy impulsowym pobudzeniu laserowym: rola dyfuzji elektron-dziura
Konferencja
Composites and Ceramic Materials - Technology, Application and Testing (13 ; 13-15.05.2013 ; Białowieża, Poland)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
In this paper photothermal transformation in semiconductor structures with modified properties of subsurface layer under its irradiation by pulse laser (~10 ns) radiation was analyzed. It was show that the presence of this surface modified layer leads to increasing of surface temperature in comparison with homogeneous case. Moreover, this increasing could even compensate the temperature decreasing induced by thermal source redistribution caused by charge carrier diffusion.
PL
W pracy zaprezentowano wyniki badań konwersji fototermicznej w półprzewodnikowych strukturach ze zmodyfikowanymi własnościami warstwy wierzchniej, pod wpływem impulsów laserowych o długości 10 ns. Obecność takiej zmodyfikowanej warstwy prowadzi do zwiększenia powierzchniowej temperatury w porównaniu do temperatury jednorodnej struktury. W pracy pokazano, że wzrost temperatury może kompensować spadek temperatury indukowanej przez przepływ związany dyfuzją nośników ładunku.
Twórcy
autor
  • Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
autor
  • Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
autor
  • Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
autor
  • Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
Bibliografia
  • [1] Laser Ablation: Effects and Applications (Nova Science Publishers, Inc., New York, 2011).
  • [2] D. B. Geohegan, A. A. Puretzky, G. Duscher, S. J. Pennycook, Applied Physics Letters 73, 438 (1998).
  • [3] A. M. Aindow, R. J. Dewhurst, D. A. Hutchins, S. B. Palmer, J. Acoust. Soc. Am. 69, 449 (1981).
  • [4] A. Moreau, D. Lévesque, M. Lord, M. Dubois, J. P. Monchalin, C. Padioleau, J. F. Bussicre, Ultrasonics 40, 1047 (2002).
  • [5] G. S. Mityurich, M. Aleksiejuk, P. Astakhov, A. N. Serdyukov, Arch. Metall. Mater. 54, 889 (2009).
  • [6] M. Aleksiejuk, Arch. Acoust. 4, 30, 103 (2005).
  • [7] R. Burbelo, D. Andrusenko, M. Isaiev, A. Kuzmich, Arch. Metall. Mater. 56, 1157 (2011).
  • [8] V. A. Sablikov, V. B. Sandomirskii, Phys. Stat. Sol. (b) 120, 471 (1983).
  • [9] E. Marin, H. Vargas, P. Diaz, I. Riech, Phys. Stat. Sol. (a) 179, 387 (2000).
  • [10] D. M. Kim, D. L. Kwong, R. R. Shah, D. L. Crosthwait, Journal of Applied Physics 52, 4995 (1981).
  • [11] R. Burbelo, M. Isaiev, A. Kuzmich, Ukr. J. Phys. 55, 317 (2010).
  • [12] R. J. Van Overstraeten, R. P. Mertens, Solid-State Electronics 30, 1077 (1987).
  • [13] E. J. Yoffa, Physical Review B 21, 2415 (1980).
  • [14] T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, K. Tanimura, T. Fauste r, Physical Review B 84, 235210 (2011).
  • [15] D. M. Todorovic, Review of Scienific Instruments 74, 582 (2003).
  • [16] in http://www.matprop.ru/Si.
  • [17] J. A. del Alamo, R. M. Swanson, Solid-State Electronics 30, 1127 (1987).
  • [18] B. R. P. Okhotin, A. S. Pushkarski, Thermal Conductivity of Solid Bodies (M.: Energoatomizdat, 1992).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-9caf0d93-7e5f-4345-a30b-70db9ae60d03
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.