Tytuł artykułu
Autorzy
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
Transformacja fototermiczna w heterogenicznych strukturach półprzewodnikowych przy impulsowym pobudzeniu laserowym: rola dyfuzji elektron-dziura
Konferencja
Composites and Ceramic Materials - Technology, Application and Testing (13 ; 13-15.05.2013 ; Białowieża, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
In this paper photothermal transformation in semiconductor structures with modified properties of subsurface layer under its irradiation by pulse laser (~10 ns) radiation was analyzed. It was show that the presence of this surface modified layer leads to increasing of surface temperature in comparison with homogeneous case. Moreover, this increasing could even compensate the temperature decreasing induced by thermal source redistribution caused by charge carrier diffusion.
W pracy zaprezentowano wyniki badań konwersji fototermicznej w półprzewodnikowych strukturach ze zmodyfikowanymi własnościami warstwy wierzchniej, pod wpływem impulsów laserowych o długości 10 ns. Obecność takiej zmodyfikowanej warstwy prowadzi do zwiększenia powierzchniowej temperatury w porównaniu do temperatury jednorodnej struktury. W pracy pokazano, że wzrost temperatury może kompensować spadek temperatury indukowanej przez przepływ związany dyfuzją nośników ładunku.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
1351--1354
Opis fizyczny
Bibliogr. 18 poz., rys., wzory
Twórcy
autor
- Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
autor
- Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
autor
- Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
autor
- Faculty of Physics, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13, Volodymyrska Street, Kyiv, Ukraine, 01601
Bibliografia
- [1] Laser Ablation: Effects and Applications (Nova Science Publishers, Inc., New York, 2011).
- [2] D. B. Geohegan, A. A. Puretzky, G. Duscher, S. J. Pennycook, Applied Physics Letters 73, 438 (1998).
- [3] A. M. Aindow, R. J. Dewhurst, D. A. Hutchins, S. B. Palmer, J. Acoust. Soc. Am. 69, 449 (1981).
- [4] A. Moreau, D. Lévesque, M. Lord, M. Dubois, J. P. Monchalin, C. Padioleau, J. F. Bussicre, Ultrasonics 40, 1047 (2002).
- [5] G. S. Mityurich, M. Aleksiejuk, P. Astakhov, A. N. Serdyukov, Arch. Metall. Mater. 54, 889 (2009).
- [6] M. Aleksiejuk, Arch. Acoust. 4, 30, 103 (2005).
- [7] R. Burbelo, D. Andrusenko, M. Isaiev, A. Kuzmich, Arch. Metall. Mater. 56, 1157 (2011).
- [8] V. A. Sablikov, V. B. Sandomirskii, Phys. Stat. Sol. (b) 120, 471 (1983).
- [9] E. Marin, H. Vargas, P. Diaz, I. Riech, Phys. Stat. Sol. (a) 179, 387 (2000).
- [10] D. M. Kim, D. L. Kwong, R. R. Shah, D. L. Crosthwait, Journal of Applied Physics 52, 4995 (1981).
- [11] R. Burbelo, M. Isaiev, A. Kuzmich, Ukr. J. Phys. 55, 317 (2010).
- [12] R. J. Van Overstraeten, R. P. Mertens, Solid-State Electronics 30, 1077 (1987).
- [13] E. J. Yoffa, Physical Review B 21, 2415 (1980).
- [14] T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, K. Tanimura, T. Fauste r, Physical Review B 84, 235210 (2011).
- [15] D. M. Todorovic, Review of Scienific Instruments 74, 582 (2003).
- [16] in http://www.matprop.ru/Si.
- [17] J. A. del Alamo, R. M. Swanson, Solid-State Electronics 30, 1127 (1987).
- [18] B. R. P. Okhotin, A. S. Pushkarski, Thermal Conductivity of Solid Bodies (M.: Energoatomizdat, 1992).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-9caf0d93-7e5f-4345-a30b-70db9ae60d03