PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Measurement of Retardance and Birefringence in PLZT10/30/70 Film with PLT Layer

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Pomiar pokrycia i dwójłomności powłoki PLZT10/30/70 z warstwą PLT
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Lanthanum-modified lead zirconate titanate (PLZT10/30/70) with and without seeding layer of (PLT10/0/100) were successfully deposited on glass substrate via a sol-gel process, and planar electrodes of TaAl were formed on the films by sputtering. The thickness of PLZT and PLT layer were 500nm and 24nm, respectively. The retardance of PLZT film was measured by a heterodyne interferometer and enhanced by application of PLT layer. The birefringence of PLZT10/30/70 films with and without PLT10/0/100 layer were determined to be 0.11 and 0.088, respectively, larger than 0.006 for PLZT9/65/35 with PLT9/0/100 layer in the literature. The average transmittance of PLZT film with PLT layer was 80.3%, a little smaller than that of PLZT film without PLT layer of around 86.5%. Results imply that PLT layer plays a key role in the increase of retardance, leading to a higher birefringence, and avoids optical loss.
PL
Zmodyfikowaną lantanem ceramikę ołów-cyrkon-tytan ( PLZT10/30/70) z i bez warstwy PLT10/0/100 nałożono na podłoże szklane metodą sol-gel a płaskie elektrody TaAl uformowano na powłoce przez napylanie. Grubości warstw PLZT i PLT były odpowiednio 500nm i 24nm. Pokrycie powłoki PLZT zmierzono za pomocą spektrometru heterodynowego i wzmocniono przez zastosowanie warstwy PLT. Dwójłomność powłok PLZT10/30/70 z i bez warstwy PLT10/0/100 wyznaczono odpowiednio jako 0,11 i 0,088, wartości większe niż, podawana w literaturze, 0,006 dla PLZT9/65/35 z warstwą PLT9/0/100. Średnia transmitancja powłoki PLZT z warstwą PLT była 80,3%, trochę mniejsza niż około 86,5% dla PLZT bez PLT. Z badań wynika, że warstwa PLT gra kluczową rolę we wzroście pokrycia prowadzącego do większej dwójłomności i zmniejsza straty optyczne.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
108--111
Opis fizyczny
Bibliogr. 20 poz., wykr.
Twórcy
autor
  • Dep. Computer Application Engineering, Far East University
autor
  • Dep. of Automation and Control Engineering, Far East University
autor
  • Dep. of Aero- and Astronautics Engineering, Cheng Kung University
Bibliografia
  • [1] Choi J.J., Kim D.Y., Park G.T., Kim H.E., Effect of electrode configuration on phase retardation of PLZT films grown on glass substrate, Journal of the American Ceramic Society, 87 (2004), 950-952
  • [2] Haertling G.H., Land C.E., Hot-pressed (Pb,La)(Zr,La)O3 ferroelectric ceramics for electrooptic applications, Journal of the American Ceramic Society, 54 (1971), 1-11
  • [3] Preston K.D., Haertling G.H., Comparison of electro-optic leadlanthanum zirconate titanate films on crystalline and glass substrate, Applied Physics Letters, 60 (1972), 2831-2833
  • [4] Baude P.F., Ye C., Tamagawa T., Polla. D.L., Fabrication of sol-gel derived ferroelectric Pb0.865La0.09Zr0.65Ti0.35O3 optical waveguides, Journal of Applied Physics, 73 (1993), 7960-7962
  • [5] Title M.A., Lee S.H., Modeling and characterization of embedded electrode performance in transverse electro-optic modulators, Applied Optics, 29 (1990), 85-98
  • [6] Taniguchi Y., Murakami K., Kobayashi H., Tanaka S., A (Pb,La)(Zr,Ti)O3 (PLZT) polarization-plane rotator with a buried electrode structure for a midinfrared electro-optical shutter, Japan Journal of Applied Physics, 36 (1997), 2709-2714
  • [7] Ishida M., Matsunami H., Tanaka T., Preparation and properties of ferroelectric PLZT thin films by rf sputtering, Journal of Applied Physics, 48 (1977), 951-953
  • [8] Adachi H., Mitsuyu T., Yamazaki O., Wasa K., Ferroelectric (Pb,La)(Zr,Ti)O3 epitaxial thin films on sapphire grown by rf planar magnetron sputtering, Journal of Applied Physics, 60 (1986), 736-741
  • [9] Cheng H.F., Spectroscopic characteristics of Pb0.95La0.05(Zr1- yTiy)0.9875O3 plasma and growth behavior of thin films by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, 78 (1995), 4633- 4639
  • [10] Yeh M.H., Liu K.S., Ling Y.C., Wang J.P., Lin I.N., The growth behavior of Pb0.95La0.05(Zr1-yTiy)0.9875O3 films on silicon substrates synthesized by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, 77 (1995), 5335-5340
  • [11] Panda B., Ray S.K., Dhar A., Sarkar A., Bhattacharya D., Chopra K.L., Electron S.K., beam deposited lead-lanthanumzirconate- titanate thin films for silicon based device applications, Journal of Applied Physics, 9 (1996), 1008-1012
  • [12] Baude P.F., Ye C., Tamagawa T., Polla D.L., Fabrication of solgel derived ferroelectric optical waveguides, Journal of Applied Physics, 73 (1993), 7960-7962
  • [13] Choi H.W., Park Y.S., Dougherty J., Jang N.W., Park C.Y., Electrical and optical properties of PLZT thin films on ITO coated glass by sol-gel processing, Journal of Material Science, 35 (2000), 1475-1479
  • [14] Tokumitsu E., Nakamura R., Ishiwara H., Nonvolatile memory operations of metal–ferroelectric–insulator–semiconductor (MFIS) FET’s using PLZT/STO/Si(100) structures, IEEE Electron Device Letters, 18 (1997), 160-162
  • [15] Li K.K., Wang F., Haertling G.H., Antiferroelectric lead zirconate thin films derived from acetate precursors, Journal of Material Science, 30 (1995), 1386
  • [16] Kong L.B., Ma J., Preparation and characterization of antiferroelectric PLZT2/95/5 thin films via a sol-gel process, Journal of Materials and Letters, 203 (2002), 638-642
  • [17] Lin J.F., Lo. Y.L., The new circular heterodyne interferometer with electro-optic modulation for measurement of the optical linear birefringence, Optics Communications, 260 (2006), 486- 492
  • [18] Lin J.F., Jeng J.S., Chen W.R., Wu B.H., Measurement of optical and surface properties of PLZT thin films, Optik, 123 (2012), 276-279
  • [19] Kamehara N., Ishii M., Sato K., Kurihara K., Kondo M., Optical properties of epitaxial plzt thin films, Journal of Electroceramics, 21 (2008), 99-102
  • [20] Shin J.S., Lee W.J., Effects of seed layers on the characteristics of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films prepared by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition, Japan Journal of Applied Physics, 36 (1997), 6909- 6914
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-9bd12c83-a1ae-49c7-b703-1096d3e084a3
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.