Obliczanie współczynnika absorbcji supersieci InAs/GaSb

• Autorzy: Machowska-Podsiadło E. , Bugajski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-197

Warianty tytułu

EN

Calculations of absorption coeficient of InAs/GaSb superlattices

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 09-13.06.2014 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dla supersieci (InAs)_{10 ML} / (GaSb)_{10 ML} z asymetrycznymi powierzchniami międzyfazowymi. Symulacje zrealizowano z zastosowaniem zmodyfikowanej 3-pasmowej metody k•p, która uwzględnia mieszanie się stanów ciężkich oraz lekkich dziur na powierzchniach międzyfazowych w strukturze. Wyznaczono strukturę pasmową oraz współczynnik absorpcji supersieci, w temperaturze T=300K. Obliczenia wykonano dla światła padającego na strukturę prostopadle do płaszczyzny warstw supersieci (tj. w kierunku z) i spolaryzowanego w kierunku x (polaryzacja TE). Symulacje zrealizowano dla dwóch dyskretyzacji w przestrzeni wektora falowego k_t=(k_x, k_y), tj. z krokiem Δk_x=Δk_y=0,01π/a oraz Δk_x=Δk_y=0,005π/a, gdzie a jest stałą sieci.

EN

The paper presents results of calculations of band structure of (InAs)_{10 ML} / (GaSb)_{10 ML} superlattice with asymetric interfaces. Simulations have been performed using modified k•p method which takes into account valence band mixing at the interfaces. The absorption coefficient of the superlattice has been determined at T=300K. The calculation has been done for normal incidence and TM polarization of incoming light. Two different discredizations in the wavevector space k_t=(k_x, k_y) have been considered; with Δk_x=Δk_y=0,01π/a step and Δk_x=Δk_y=0,005π/a, where a is lattice constant.

Słowa kluczowe

PL

supersieci II rodzaju; InAs/GaSb; współczynnik absorbcji; relacje dyspersji; mid-IR

EN

type II superlattices; InAs/GaSb; absorption coeficient; dispersion relations; mid-IR

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 11
• Strony: 60--62
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Machowska-Podsiadło E.

• Politechnika Rzeszowska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki

autor

Bugajski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Landolt H Hans, Bornstein R., Hellwege K. H., Broser I. and Schultz M. 1982 Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Group III., edited by O. Madelung Vol. 17a-b (New York) (Springer).
• [2] Chuang S. L., 2009, Physics of Photonic Devices (Hoboken, New Jersey) (John Willey & Sons).
• [3] Jasik A., Sankowska I., Reginski K., Machowska-Podsiadlo E., Wawro A., Wzorek M., Kruszka R., Jakiela R., Kubacka-Traczyk J., Motyka M. and Kaniewski J. 2012 Crystal Growth: Theory, Mechanisms and Morphology. Chapter 9 – MBE Growth of Type-II InAs/GaSb Superlattices on GaSb Buffer (Hauppauge NY: Nova Science Publishers, Inc.).
• [4] Magri R. and Zunger A., 2002, Phys. Rev. B 65, 165302.
• [5] Magri R. and Zunger A., 2003, Phys. Rev. B 68, 155329.
• [6] Van de Walle C. G., 1989, Phys. Rev. B 39, 1871.
• [7] Szmulowicz F., Haugan H. and Brown G. J., 2004, Phys. Rev. B 69, 155321.
• [8] Machowska-Podsiadlo E., Sujecki S., Benson T., Jasik A., Bugajski M. and Pierscinski K., 2012, J. Phys.: Conf. Ser. 367, 012014.
• [9] E.L. Ivchenko, A. Yu Kaminski and U. Rössler. „Heavy-light hole mixing at zinc-blende (001) interfaces under normal incidence.’’ Phys. Rev. B 54 no. 8 (1996): 5852-5859.
• [10] Satpati B., Rodriguez J. B., Trampert A., Tournié E., Joullié A. and Christol P., 2007, Journal of Crystal Growth 301–302, 889.
• [11] E. Machowska-Podsiadlo, S. Sujecki, T. Benson, A. Jasik, M. Bugajski and K. Pierscinski. 3rd Workshop on Theory, Modelling and Computational Methods for Semiconductors (TMCSIII), 18–20 January 2012, University of Leeds, United Kingdom, oral presentation „Optoelectronic properties of InAs/GaSb superlattices with asymmetric interfaces’’, on a website: http://www.semiconductor- physics.co.uk/TMCSIII/var/Presentations.html.

Uwagi

PL

Prace były finansowane z projektu 5070/B/T02/2011/40 Narodowego Centrum Nauki i projektu PBS1/B3/2/2012 finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju.