Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

• Autorzy: Andriyevsky B.

Warianty tytułu

PL

Porównawcze badania przewodności cieplnej Si, GaN i SiC metodą dynamiki molekularnej

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Thermal conductivity of Si, SiC and GaN crystals have been calculated by the reversed non-equilibrium molecular dynamics method using the Forcite program with the Universal force field potentials of the Materials Studio 7.0 package. The dependencies of thermal conductivity on the length of crystal’s supercell and density have been obtained and analyzed. Correlation of the degree of hybridization of vibrations of Si and C in SiC and Ga and N in GaN, from the one side, and coefficient of thermal conductivity, from the other one, has been revealed.

PL

Obliczono przewodność cieplną kryształów Si, SiC i GaN metodą odwrotnej nierównoważnej dynamiki molekularnej za pomocą programu Forcite przy potencjałach pól siłowych typu Universal z pakietu Materials Studio 7.0. Otrzymano i przeanalizowano zależności przewodności cieplnej kryształów w funkcji długości odpowiedniej superkomórki oraz gęstości. Ujawniono korelację stopnia hybrydyzacji drgań atomów Si i C w SiC oraz Ga i N w GaN, z jednej strony, a współczynnika przewodności cieplnej, z drugiej.

Słowa kluczowe

EN

semiconductors; coefficient of thermal conductivity; molecular dynamics

PL

półprzewodnik; współczynnik przewodności cieplnej; dynamika molekularna

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 5--8
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., rys.

Twórcy

autor

Andriyevsky B.

• Koszalin University of Technology, Faculty of Electronics and Computer Sciences, Śniadeckich str. 2, 75-453 Koszalin

Bibliografia

• [1] Millan J., IET Circuits, Devices & System 1 (2007) 372-379
• [2] Ren F., Zolper J.C. (Eds.), Wide Band Gap Electronic Devices, World Scientific, Singapore, 2003
• [3] Park Y.S., in: Willardson R.K., E.R. Weber (Eds.), SiC Materials and Devices, Semiconductors and Semimetal, vol. 52, Academic Press, San Diego CA, 1998
• [4] Chen W., Wong K.-Y., Chen K.J., IEEE Electr. Device L. 30 (2009) 430
• [5] Kikkawa T., Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 4896
• [6] Yanagihara M., Uemoto Y., Ueda T., Tanaka T., Ueda D., Phys. Stat. Sol. (a) 206 (2009) 1221
• [7] Mishra U.K., Parikh P., Wu Y.F., Proc. IEEE Micr. Elect. 90 (2002) 1022-1031
• [8] Roccaforte F., Frazzetto A., Grecoa G., Giannazzo F., Fiorenza P., Lo Nigro R., Saggio M., Leszczyński M., Pristawko P., Raineri V., Appl. Surf. Sci. 258 (2012) 8324
• [9] Cho J., Li Z., Bozorg-Grayeli E., Kodama T., Francis D., Altman D., Ejeckam F., Faili F., Asheghi M., Goodson K.E., 13th IEEE Intersociety Conference on Date of Conference: May 30 2012- June 1 2012, 435-439
• [10] Wu Y.F., Moore M., Saxler A., Wisleder T., Parikh P., Proc. IEEE DRC Conf. Dig. (2006) 151
• [11] Meneghesso G., Verzellesi G., Danesin F., Rampazzo F., Zanon F., Tazzoli A., Meneghini M., Zanoni E., IEEE Trans. Device Mater. Rel. 8 (2008) 332
• [12] MullerPlathe F.J., Chem. Phys. 106 (1997) 6082
• [13] Rappe A.K., Casewit C.J., Colwell K.S., Goddard III W.A., Skiff W.M., J. Am. Chem. Soc. 114 (1992) 10024
• [14] Ziman J.M., Electrons and Phonons. Oxford University Press, Oxford, 2001
• [15] Claudio T., Stein N., Stroppa D.G., Klobes B., Koza M.M., Kudejova P., Petermann N., Wiggers H., Schierning G., Hermann R.P., Phys. Chem. Chem. Phys. 16 (2014) 25701
• [16] Shibata H., Waseda Y., Ohta H., Kiyomi K., Shimoyama K., Fujito K., Nagaoka H., Kagamitani Y., Simura R., Fukuda T., Mater. Trans. 48 (2007) 2782
• [17] Sellan D.P., Landry E.S., Turney J.E., McGaughey A.J.H., Amon C.H., Phys. Rev. B 81 (2010), 214305