The unique combined Confocal Raman Imaging and Scanning Electron Microscopy and AFM : study of (100) GaSb passivated surface

• Autorzy: Papis-Polakowska E. , Kowalczyk A. , Tchaya M. , Schmidt U. , Kaniewski J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-198

Warianty tytułu

PL

Unikalne połączenie Konfokalnej Spektroskopii Ramana, Skaningowej Mikroskopii Elektronowej oraz AFM : badania pasywowanej powierzchni (100) GaSb

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 09-13.06.2014 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The RISE (Raman Imaging and Scanning Electron) microscope is a new and unique analysis tool which consists of Scaning Electron Microscopy and Raman Spectroscopy techniques. This microscope enables an ultrastructural analysis and simultaneous chemical imaging, providing the complete information about the chemical composition of the characterised sample. The RISE microscopy is a promissing technique for the modern applications of the materials and devices development. This work presents the principles of the RISE microscope operating and a pioneering using of this technique for the study of ultrathin self-assembled thiols layers on (100) GaSb surface. AFM combined with Confocal Raman Imaging measurements were also performed.

PL

Mikroskop RISE (Raman Imaging and Scanning Electron), to unikalne, nowe narzędzie pomiarowe, które łączy Skaningową Mikroskopię Elektronową z Konfokalną Mikroskopią Ramanowską. Mikroskop ten umożliwia ultrastrukturalną analizę przy jednoczesnym chemicznym obrazowaniu, przekazując informacje o składzie chemicznym badanej próbki. Specjalnie opracowane oprogramowanie łączy techniki SEM i spektroskopię Ramana, w wyniku czego obrazy z obu technik są nakładane. Generalnie, mikroskop ten jest bardzo obiecujący w kontekście aplikacji w dziedzinie nanotechnologii i badań materiałowych, co może przyczynić się do rozwoju i produkcji nowych materiałów, a w konsekwencji urządzeń i przyrządów elektronicznych nowej generacji. W pracy, przedstawiono główne zasady działania mikroskopu oraz jego pionierskie zastosowanie do badania powierzchni (100) GaSb pasywowanej samoorganizującymi się związkami tioli.

Słowa kluczowe

EN

RISE microscope; Scanning microscopy; Raman spectroscopy; GaSb; Thiol

PL

mikroskop RISE; Skaningowa Mikroskopia Elektronowa; spektroskopia Ramana; GaSb; Tiol

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 11
• Strony: 71--75
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Papis-Polakowska E.

• Institute of Electron Technology, Warsaw, Poland

autor

Kowalczyk A.

• LOT-QuantumDesign GmbH, Chorzów, Poland

autor

Tchaya M.

• WITec GmbH, Ulm, Germany

autor

Schmidt U.

• WITec GmbH, Ulm, Germany

autor

Kaniewski J.

• Institute of Electron Technology, Warsaw, Poland

Bibliografia

• [1] Papis-Polakowska E., Electron. Technol. - Internet Journal, 37/38 4 (2005/2006) pp. 1–34 http:/www.ite.waw.pl/etij/pdf/37_38-04a.
• [2] Papis-Polakowska E., Kaniewski J., Szade J., Rzodkiewicz W., Jasik A., Jurenczyk J., Orman Z., Wawro A., Thin Solid Films, 567, (2014), pp. 77–81.
• [3] Li-peng Y., Juan D., Yan-li S., Young-yuan C., Bo W., Proc. SPIE, 8907, 890741-1 (2013), pp. 890741-1.
• [4] Rehm R., Walther M., Fuchs F., Schmitz J., Fleissner J., Appl. Phys. Lett., 86, (2005), pp. 173501.
• [5] Hood A., Delaunay P.Y., Hoffman D., Nguyen B.M., Wei Y.J., Razeghi M., Nathan V., Appl. Phys. Lett., 90, (2007), pp. 23313–1.
• [6] Dubowski J.J., Voznyy O., Marshall G.M., Applied Surface Science, 256, (2010), pp. 5714–5721.
• [7] Dias da Silva J.H., Da Silva S.W., Galzerani J.C., J. Appl. Phys. 77, (1995), pp. 4044–4048.
• [8] Winnerl S., Sinning S., Dekorsy T., Helm M., Appl. Phys. Lett. 85, (2004), pp. 3092–3094.
• [9] Maslar J., Wilbur H., Wang C.A., Applied Spectroscopy, 61, 10, (2007), pp. 1093–1102.
• [10] Gatzke C., Webby S.J., Fobelets K., Stradling R.A., Semicond. Sci. Technol. 13, (1998), pp.399–403.
• [11] Lopez C., Springett R.J., Nicholas R.J., Walker P.J., Mason N.J., Hayes W., Surface Science, 267, (1992), pp. 176–180.
• [12] Arpapay B., Sahin S., Ankan B., Serincan U., Thin Solid Films, 564, (2014), pp. 110–114.
• [13] Goncalves M.R., Enderle F., Marti O., Journal of Nanotechnology, vol. 2012, ID 173273, pp. 1–15.
• [14] Kieninger M., Ventura O.N., International Journal of Quantum Chemistry, vol. 11, Nr. 7–8, (2011), pp. 1843–1857.

Uwagi

EN

This work was partially supported by The National Centre for Research and Development, Poland under project No. PBS1/B3/2/2012.