Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

• Autorzy: Paziewski P. , Supronowicz H. , Suproniuk M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.10.21

Warianty tytułu

EN

Step-up DC/DC converter using GaN transistor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie oraz przedstawiono podstawowe założenia projektowe wraz z problemami wynikającymi z wysokich częstotliwości kluczowania i występowania znacznych prądów. Zostały również zaprezentowane wstępne wyniki badań zaprojektowanego układu.

EN

The article presents transistors made using gallium nitride GaN technology for power electronics applications. It describes the design and principle of operation of the step-up DC/DC converter and presents the basic design assumptions along with problems resulting from high switching frequencies and high currents of the inverter. It also presents preliminary results of the designed system.

Słowa kluczowe

PL

azotek galu; tranzystory GaN; przekształtnik DC/DC; energoelektronika

EN

gallium nitride; transistors GaN; DC/DC converter; power electronics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 10
• Strony: 91--94
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Paziewski P.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Supronowicz H.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Suproniuk M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

Bibliografia

• [1] Musznicki P., Racewicz Sz., Turzyński M., Przekształtniki energoelektroniczne DC-DC, Gdańsk 2012
• [2] Górecki P., Nowoczesne tranzystory mocy, czyli długa droga do SiC i GaN, Elektronika Praktyczna 3/2014, 46-61
• [3] Michalski A., Zymmer K., Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energoelektronicznych, Prace Instytutu Elektrotechniki, zeszyt 248, 2010
• [4] Janke W., Wojtasiak W., Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu, Przegląd Elektrotechniczny, nr 9/2015, str. 65-73
• [5] Zdanowski M., Rąbkowski J., Barlik R., Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik DC/DC z elementami z węglika krzemu – analiza symulacyjna, Przegląd Elektrotechniczny, nr 2/2014
• [6] Czyż P., Reinke A., Michna M., Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC, Przegląd Elektrotechniczny, nr 1/2017, str. 333-338
• [7] Swadowski M., Zygoń K., Jąderko A., Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN, Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej, Nr 71, Studia i Materiały, Nr 35, 2015
• [8] Czyż P., Cichowski A., Śleszyński W., Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC, Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej Nr 47, Gdańsk 2015
• [9] TPH3207WS Datasheet
• [10] GS61008T Datasheet
• [11] GS66516T Datasheet
• [12] EPC2025 Datasheet
• [13] IDW30G65C5 Datasheet
• [14] www.feryster.pl (2014)

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).