Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT

• Autorzy: Szelągowska J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.08.20

Warianty tytułu

EN

Characteristics and parameters of power SiC SJT

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono charakterystyki i parametry robocze tranzystora mocy SJT, wykonanego z węglika krzemu typu 2N7635-GA firmy GeneSiC. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz wartości wybranych parametrów, ze szczególnym uwzględnieniem wpływu temperatury i punktu pracy rozważanego przyrządu. Dla porównania zaprezentowano również wybrane charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.

EN

The paper presents the characteristics and operating parameters of the SJT power transistor 2N7635-GA manufactured by GeneSiC. The characteristics and values of selected operating parameters with special emphasis on the effect of temperature and operating point of considered device are discussed. For comparison, selected characteristics of the considered transistor available in the data sheet, are presented as well.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor SJT; węglik krzemu; samonagrzewanie

EN

SJT; silicon carbide; self-heating phenomenon

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 8
• Strony: 75--78
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz. rys. tab.

Twórcy

autor

Szelągowska J.

• Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] http://www.genesicsemi.com/commercial-sic/sic-junctiontransistors/
• [2] G. Li, H. Li, A. Deshpande, X. Li, L. Xu, F. Luo, J. Wang, Comparison between 1.7 kV SiC SJT and MOSFET power modules, IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), DOI: 10.1109/WiPDA.2016.7799903, 2016
• [3] http://tespol.com.pl/wp-content/uploads/2016/01/Keithley- 4200-SCS-datasheet.pd
• [4] J. M. Niedra, G. E. Schwarze, Static and Switching Characteristics of a 4H-SiC Based BJT to 200°C, Technical Report NASA/TM—2006-214345, NASA Glenn Research Center; Cleveland, OH, 2006
• [5] K. Górecki, W. J. Stepowicz,. J. Zarębski, Functional and catastrophic thermal failures in bipolar electronic circuits, 12th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, DOI: 10.1109/ICECS.2005.4633593, 2008
• [6] R. Singh, S. Sundaresan, Fulfilling the Promise of High- Temperature Operation with Silicon Carbide Devices: Eliminating bulky thermal-management systems with SJTs, IEEE Power Electronics Magazine, Volume: 2, Issue: 1, pp. 27 – 35, DOI: 10.1109/MPEL.2014.2383328, March 2015
• [7] J. Patrzyk, J. Zarębski and D. Bisewski, DC characteristics and parameters of silicon carbide high-voltage power BJTs, 39th International Microelectronics and Packaging Poland Conference, Book Series: IOP Conference Series-Materials Science and Engineering ,Vol. 104, 2016
• [8] Y. Cui, M. S. Chinthavali, F. Xu, L. M. Tolbert, Characterization and modeling of silicon carbide power devices and paralleling operation, IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE), DOI: 10.1109/ISIE.2012.6237089, 2012
• [9] S. Sundaresan, R.Singh, R. W. Johnson, Silicon Carbide „Super” Junction Transistors operating at 500°C, IMAPS High Temperature Electronics Conference, 2012
• [10] S. E. Brooks, Modeling and Simulation of 1700 V 8 A GeneSiC “Super” junction Transistor, Theses and Dissertations, University of Arkansas, USA, 2016
• [11] R. Singh, S. Sundaresan, E. Lieser, M. Digangi, 1200 V SiC “Super” Junction Transistors operating at 250 °C with extremely low energy losses for power conversion applications, Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), USA, Orlando, 2012

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).