Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

• Autorzy: Szyszka A. , Paszkiewicz R , Szymański T. , Tłaczała M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.08.06

Warianty tytułu

EN

Integrated illumination system for scanning probe microscope

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono budowę oraz funkcjonalność układu oświetlenia próbki zintegrowanego z sytemem mikroskopu ze skanujacą sondą. Układ ten umożliwia pobudzenie próbki promieniowaniem optycznym w trakcie pomiaru lokalnych właściwości elektrycznych metodami skaningowej mikroskopi potencjału powierzchniowego, skaningowej mikroskopi rezystancji rozproszonej oraz skaningowej mikroskopii pojemnośćiowej. Ma to na celu uzyskanie dodatkowych informacji o niejednorodnościach właściwości powierzchniowych stanach pułapkowych czyli o ich typie, położeniu w przerwie zabronionej oraz o czasach generacji/rekombinacji. Pierwsze eksperymenty przeprowadzone na zmodyfikownycm stanowisku Bruker Multimode V w trybie skaningowej mikroskopi pojemnościowej pozwoliły zaobserwować istnienie wpływu konstrukcji heterostruktury AlGaN/GaN/Si na właściwości defektów występujących w warstwie bariery AlGaN.

EN

In the work the design assumptions, construction and performance of integrated illumination system for scanning probe microscope is presented. The system allows for optical stimulation of sample during measurements of local electrical properties by Scanning Potential Microscopy, Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. Illumination of semiconductor sample using various wavelengths allow to obtain additional information about type, energy position and generation/recombination processes connected electronic surface states. First experiments using Bruker Multimode V Nanoscope AFM equipped with this system working in Scanning Capacitance Microscopy Mode showed the influence of AlGaN/GaN/Si heterostructure construction on electronic properties of surface defects in AlGaN barrier layer.

Słowa kluczowe

PL

mikroskop ze skanującą sondą; skaningowa mikroskopia pojemnościowa; skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego; skaningowa mikroskopia rezystancji rozproszonej; AlGaN/GaN/Si

EN

Scanning Probe Microscope; scanning spreading resistance microscopy (SSRM); scanning potential microscopy; scanning capacitance microscopy; AlGaN/GaN/Si

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 8
• Strony: 21--24
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Szyszka A.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Paszkiewicz R

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Szymański T.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Tłaczała M.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

Bibliografia

• [1] A. Szyszka,B. Paszkiewicz, W. Macherzyński, R. Paszkiewicz, M. Tłaczała, „Microscale characterisation of optical and electrical parameters of UV GaN planar detectors”, Journal of Electrical Engineering-Elektrotechnický Časopis. 2009, vol. 60, nr 5, s. 283-286.
• [2] A. Szyszka Adam, B. Ściana Beata, D. Radziewicz, W. Macherzyński, B. Paszkiewicz, M. Tłaczała, „Characterization of AIIIBV epitaxial layers by scanning spreading resistance microscopy“, Optica Applicata. 2011, vol. 41, nr 2, s. 281-288
• [3] A. Szyszka Adam, W. Dawidowski, A. Stafiniak, J. Prażmowska-Czajka, B. Ściana, M. Tłaczała, „Cross-sectional scanning capacitance microscopy characterization of GaAs based solar cell structures”, Crystal Research and Technology. 2017, vol. 52, nr 6, art. 1700019, s. 1-5
• [4] T. Szymański, M. Wośko, M. Wzorek, B. Paszkiewicz and R. Paszkiewicz. „Origin of surface defects and influence of an in situ deposited SiN nanomask on the properties of strained AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(111) using metal– organic vapour phase epitaxy” CrystEngComm, 18, 8747, 2016.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).