Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET

• Autorzy: Bargieł K. , Bisewski D.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.08.17

Warianty tytułu

EN

DC characteristics of power SiCJFET

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.

EN

The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor JFET; węglik krzemu; zjawisko samonagrzewania

EN

JFET; silicon carbide; self-heating phenomenon

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 8
• Strony: 63--66
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Bargieł K.

• Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81- 87, 81-225 Gdynia

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81- 87, 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] Bisewski D., Zarębski J.: Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs, Electrical Review, N0.1, 2011, pp. 271-274
• [2] Dąbrowski J., Zarębski J.: Silicon Power Schottky Diodes Model Implemented in SPICE, International Conference TCSET’2008, Lviv-Slavsko, Ukraine ,2008, pp. 173-176
• [3] Zarębski J., Bisewski D.: Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC MESFET, Elektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, Sigma-Not, Nr 12, 2005, s. 78-80
• [4] karta katalogowa SJEP170R550
• [5] Gong X., Ferreira J.A.: Modeling and Reduction of Conducted EMI in SiC JFET Motor Drivers with Insulated Metal Substrate, IEEE Energy Conversion Cong. and Exposition. USA, November 2012, pp. 629-636
• [6] Pan S., Li L., Chen Z.: Research of Solar Based on Silicon Carbide JFET Power Device, Energy Procedica, Vol. 16, 2012, pp. 1986-1993
• [7] Kelly R., Ritenour A., Sheridan D., Casdy J.: Improved twostage DC-coupled gate driver for enhancement-mode SiC JFET, IEEE Applied Power Electornics Conf. and Exposition. USA, 2010, pp. 1838-1841
• [8] karta katalogowa PMBFJ111
• [9] karta katalogowa BSR58
• [10] karta katalogowa 2N5277
• [11] Zarębski J., Górecki K.: The elctrothermal large-signal model of power MOS transistor for SPICE, IEEE Transaction on Power Electronics, Vol. 25, No. 5-6, 2010, pp. 1265-1274
• [12] Székely V., Thermal Testing and Control by Means of Built-in Temperature Sensors. Electronic Cooling, Vol. 4, 1998, No. 3, pp. 36-39
• [13] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007
• [14] https://www.tek.com/keithley
• [15] Zarębski J, Dąbrowski J.: Modelling of Non-Isothermal Characteristics of Reverse-Biased Power Schottky Diodes, International Seminar on Power Semiconductors ISPS 2006, Prague, pp. 99-102
• [16] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe WSM w Gdyni, Gdynia, 1996

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).