Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Donor doping of silicon from the liquid source applied in the solar cells continuous production
Języki publikacji
Abstrakty
Niniejsza praca omawia możliwości użycia kwasu H3PO4, jako źródła domieszki donorowej do krzemu typu p w kontekście zastosowania otrzymanej struktury w celu wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych metodą produkcji ciągłej. Opracowaną metodą uzyskano emiter typu n o żądanych wartościach rezystancji warstwowej w przedziale 10...90 Ω/. Na bazie otrzymanej struktury wytworzono ogniwa słoneczne o sprawności konwersji fotowoltaicznej ponad 15%. W artykule omówiono także technologiczne czynniki wpływające na parametry charakterystyki prądowo-napięciowej i sprawności fotokonwersji wytworzonych ogniw słonecznych.
This paper discusses the possibility of application of H3PO4, acid in a spray source of dopant donor into the p type silicon. The method can be used in production of silicon solar cells in a continuous manufacturing process. The n-type emitter was obtained by this procedurę leading to layer resistance in the range of 10...90 Ω/. The silicon solar cell was produced with the use of spray technology and characterized by conversion efficiency over 15%. The technological factors affecting the current-voltage characteristic and conversion efficiency of the solar cells have been discussed.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
88--90
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., wykr., tab.
Twórcy
autor
- Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków
autor
- Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków
autor
- Instytut Katalizy i Fizykochemii Powierzchni im. J. Habera PAN, Kraków
Bibliografia
- [1] Rauter G., Csatáry P., Schneider H., Beigl M.: Scaling challenges for photovoltaic manufacturing facilities. Photovoltaics International, 3 (2009) 14-23.
- [2] Ebong A., Cooper I. B., Rounsaville B., Tate K., Rohatgi A., Bunkenburg B., Cathey J., Kim S., Ruf D.: High efficiency inline diffused emitter (ILDE) solar cells on mono-crystalline CZ silicon. Progress in Photovoltaics: Research and applications, 18 (2010) 590-595.
- [3] Hoornstra J., van Strien W., Lamers M., Tool K., Weeber A.: High throughput in-line diffusion: emitter and cell results. Proc. of the 22nd EPSEC, 3-7 September 2007, Milan, Italy, 1586-1588.
- [4] Bazer-Bachi B., Sabac A., Monna R., Jourdan J., Lemiti M.: Back to back technique for P and B doping using planar source diffusion. Proc. of the 22nd EPSEC, 3-7 September 2007, Milan, Italy, 1458-1462.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-95e5ba78-c0eb-4158-a4db-6b11de3d5da4