Multimode VCSEL Thermal and Spatial Model

• Autorzy: Shi X. , Qi C. , Wang G.

Warianty tytułu

PL

Termiczny i przestrzenny model lasera typu VCSEL

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

We present a VCSEL model that addresses the spatial dependence and thermal behavior of VCSELs based on multimode rate equations without sacrificing the numerical efficiency demanded by the circuit-level simulation of optoelectronic systems. The model is more comprehensive and parameters are easier to determine. The equivalent circuit of the model and expressions of circuit elements are given. It is implemented into SPICE-like simulators to simulate the dc, ac and transient features of VCSELs. The simulated results exhibit good agreements with references.

PL

Zaprezentowano model lasera typu VCSEL (vertical cavity surface emitting laser). Analizowano właściwości przestrzenne i termiczne. Zaproponowano schemat zastępczy modelu i przeprowadzono symulacje.

Słowa kluczowe

EN

vertical-cavity surface-emitting laser; VCSEL; rate-equation; thermal model; spatial model

PL

laser VCSEL; modelowanie

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 7b
• Strony: 248--251
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., schem., wykr.

Twórcy

autor

Shi X.

• Institute of Microelectronics & Information Technology, Wuhan University, Wuhan 430079, China

autor

Qi C.

• Institute of Microelectronics & Information Technology, Wuhan University, Wuhan 430079, China

autor

Wang G.

• Institute of Microelectronics & Information Technology, Wuhan University, Wuhan 430079, China

Bibliografia

• [1] Massart Thierry, Meuter Cedric, V B Laurent, Inform. Process. Lett. 106 (2008) 120-126
• [2] Koyama, F., Miyamoto, T..IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials, (2007) 420 – 425.
• [3] Gatto, A., Boletti, A., Boffi, P., et. all. IEEE Photonics Technology Letters, Vol.21,No.12, (2009) 778-780.
• [4] Chao-Kun Lin, Tandon, A., Djordjev, K., et. all. IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics, 13 (2007) 1332-1339.
• [5] W. M. Man and S.-F. Yu. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 4 (1998) 715-722.
• [6] Mena, P. V., Morikuni, J. J., Kang, S. M., et. all. IEEE J. Lightwave Technol., 17 (1999) 865-872.
• [7] Liu Jie, Chen Wen-lu, and Li Yu-quan. J. Zhejiang Univ. Science A, 7 (2006) 1968-1972.
• [8] Liang Feng, Gao Jianjun, and Tian Xuenong. Chinese J.Semiconductors, 28 (2007) 1125-1129.
• [9] J. J. Morikuni, P.V. Mena, A. V. Harton, et al. IEEE J.Lightwave Technol., 17 (1999) 95-102.
• [10] Mena, P. V., Morikuni, J. J., Kang, S. M., et. all. IEEE J. Lightwave Technol., 17 (1999) 2612-2632.
• [11] Gao Jianjun, Li Xiuping, and Flucke J. IEEE J. Lightwave Technol., 22 (2004) 1604-1611.