Structure and electrical properties of Sn8Zn solder alloy with Ag and Ga additions

• Autorzy: Boczkal G. , Perek-Nowak M.

Warianty tytułu

PL

Struktura i właściwości elektryczne stopów lutowniczych Sn8Zn z dodatkiem srebra i galu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Solder joints based on eutectic SnZn alloy were studied. The influence of Ga and Ag was analysed and compared to the basic Sn8Zn alloy as well as to the reference solder alloys Sn60Pb40 and Sn3Cu. The formation of intermetallic layer in zinc-containing alloys made mainly out of Cu5Zn8 type was noted, while in the standard solder alloys it was Cu3Sn. The resistivity measurements showed the lowest value for Sn8Zn1 Ag and the worst in the case of Sn8Zn1 Ga, due to the quite different incorporation of Ag and Ga atoms in the solder: Ag atoms are found in precipitates while Ga atoms are dissolved in the matrix.

PL

W pracy przedstawiono badania dotyczące połączeń lutowanych na bazie stopu eutektycznego SnZn. Porównano wpływ dodatków stopowych Ga i Ag w stosunku do referencyjnego stopu Sn8Zn i stopów lutowniczych Sn60Pb40 i Sn3Cu. Zauważono wytworzenie warstwy międzymetalicznej w stopach zawierających cynk, która zbudowana była głównie ze związku typu Cu5Zn8, podczas gdy w standardowych stopach jest to zwykle faza Cu3Sn. Badania oporności wykazały najniższą wartość dla stopu Sn8ZnAg, a najwyższą dla stopu Sn8ZnGa, ze względu na różny sposób rozmieszczenia atomów Ag i Ga w połączeniu lutowanym: atomy Ag znajdują się w wydzieleniach, a Ga są rozpuszczone w osnowie.

Słowa kluczowe

EN

lead-free solders; intermetallic phase; resistivity measurements

PL

luty bezołowiowe; faza intermetaliczna; pomiar oporności

• Wydawca: AGH University of Science and Technology Press
• Czasopismo: Metallurgy and Foundry Engineering
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 39, no. 1
• Strony: 39--45
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Boczkal G.

• AGH University of Science and Technology, Faculty of Non-Ferrous Metals, Krakow, Poland

autor

Perek-Nowak M.

• AGH University of Science and Technology, Faculty of Non-Ferrous Metals, Krakow, Poland

Bibliografia

• [1] Kang S.K., Choi W.K.: Journal of Electronic Materials, Vol. 31 (2002) pp. 1292-1303
• [2] Islam M.N., Chan Y.C., Rizvi M.J., Jillek W., Journal of Alloys and Compounds, Vol. 400 (2005) pp. 136-144
• [3] Shin C.K., Baik Y.-J., Huh J.Y., Journal of Electronic Materials, Vol. 30 (2001) pp. 1323-1331
• [4] Boczkal G., Marecki P., Perek-Nowak M., Archives of Metallurgy and Materials, Vol. 57 (2012) pp. 33-37
• [5] Sigelko J., Choi S., Subramanian K.N., Lucas J.P., BielerT.R., Journal of Electronic Materi-als, Vol. 28 (1999) pp. 1184-1188
• [6] Amagai M., Microelectronics Reliability, Vol. 48 (2008) pp. 1-16
• [7] Massalski T. B., Editor-in-Chief; H. Okamoto, P. R. Subramanian, L. Kacprzak, Editors. ASM International, Materials Park, Ohio, USA, (1990)