Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
The self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule, przedstawiono wyniki mikroskopii sił atomowych (AFM), spektroskopii Ramana i analizy kąta zwilżania samoorganizującej się warstwy oktadekanotiolu (ODT) na powierzchni (100) GaSb. Warstwę ODT otrzymaną zanurzeniowo z roztworu 10 mM ODT-C2H5OH, zastosowano jako pierwszy etap dwustopniowej pasywacji, który połączony z drugim etapem polegającym na osadzaniu warstwy SiO2, poprawił znacząco parametry elektryczne detektora podczerwieni wykonanego z supersieci II-rodzaju InAs/GaSb.
The paper presents the results of the AFM, Raman spectroscopy and the contact angle analysis obtained for the self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface. The ODT monolayer created from the 10 mM ODT-C2H5OH solution, together with additionally deposited SiO2 layer, were successfully used as the two-step passivation of the II-type superlattice InAs/GaSb infrared photodetector.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
119--122
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz., rys.
Twórcy
autor
- Sieć Badawcza Łukasiewicz- Instytut Technologii Elektronowej, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
autor
- Sieć Badawcza Łukasiewicz-Instytut Technologii Elektronowej, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
autor
- Politechnika Poznańska, Wydział Fizyki Teoretycznej, ul. Piotrowo 3, 60-965 Poznań
autor
- Politechnika Poznańska, Wydział Fizyki Teoretycznej, ul. Piotrowo 3, 60-965 Poznań
autor
- Politechnika Poznańska, Wydział Fizyki Teoretycznej, ul. Piotrowo 3, 60-965 Poznań
autor
- Sieć Badawcza Łukasiewicz-Instytut Technologii Elektronowej, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Bibliografia
- [1] Ding X., Moumanis K, Dubowski J.J., Frost E.H., Escher E., Immobilization of avidin on (100) GaAs surface, Appl. Phys. A, 83 (2006), 357-360
- [2] Nakagawa O.S., Ashok S., Sheen C.W., Märtensson J., Altara D.L., GaAs interfaces with Octadecyl thiol Self-Assembled Monolayers: structural and electrical properties, Japan. J. of Appl. Phys., 30 (1991) 3759-3762
- [3] Papis-Polakowska E, Surface treatments of GaSb and related materials for processing of mid-infrared semiconductor devices, Electron. Technol. – Internet Journal, 37/38 (2005-2006) 1-34, http:/www.ite.waw.pl/etij/pdf/37_38-04a
- [4] Plis E.A., Kutty M.N., Krishna S., Passivation techniques for inAs/GaSb strained layer superlattice detectors, Laser&Photonics Rev., (2012) 1-15
- [5] Ulman A, Formation and structure of Self-assembled Monolayers, Chem. Rev., 96 (1996),nr 4, 1533-1554
- [6] Papis-Polakowska E., Kaniewski J., Jurenczyk J., Jasik ., Czuba K., Walkiewicz A.E., Szade J., Surface passivation of (100) GaSb using self-assembled monol;auers of long-chain octadecanethiol, AIP Advanced, 6 (2016) 0552061 (8pp)
- [7] Czuba K., Sankowska I., Jureńczyk J., Jasik A., Papis-Polakowska E., Kaniewski J., Influence of Be doping placement in InAs/GaSb superlattice-based absorber on the performance of MWIR photodiodes, Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 055010 (9pp)
- [8] Pallipurath A., Nicoletti O., Skeleton J.M., Mahajan S., Midgley P.A., Elliott S.R., Surfactant-free coating of thiols on gold nanoparticles using sonochemistry, Ultrason. Sonochem., 21 (2014) 1886-1892
- [9] Bryant M.A., Pemberton J.E., Surface Raman Scattering of self-assembled monolayers formed from 1-alkanethiols at Ag, J. Am. Chem. Soc., 113 (1991) 3629-3637
- [10] man evidence of acid-induced changes in adsorption/desorption equilibria, Langmuir, 19 (2003) 3805-3813
- [11] Kudelski A., Chemisorption of 2-mercaptoethanol on silver, copper, and gold: direct Ra
- [12] Levin C.S., Janesko B.G., Bardhan R., Scuseria G.E., Hartgerink J.D., Halas N.J., Chain-length-dependent vobrational resonances in alkanethiol self-assembled monolayers observed on plasmonic nanoparticle substrate, Nano. Lett., 6 (2006) 2617-2621
Uwagi
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-93c4342f-1fd8-494b-96c0-a96b9a0ce803