Tlenek grafenu jako pasywny modulator dobroci w laserze na ceramice Nd:YAG

• Autorzy: Podniesiński D. , Librant K. , Kozłowska A. , Nakielska M. , Lipińska L.

Warianty tytułu

EN

Graphene oxide as passively Q - switched modulator for ceramic Nd:YAG laser

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

W artykule przedstawione zostały wyniki eksperymentów generacyjnych, w układzie lasera na ceramice Nd:YAG z pasywnym modulatorem dobroci zbudowanym na bazie tlenku grafenu. Opisano sposób przygotowania próbek tlenku grafenu na podłożu płytek szkła SiO₂, zbudowane stanowisko lasera oraz sposób przeprowadzenia pomiarów. Badany tlenek grafenu, wytworzony w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych, wykazał właściwości nasycalnego absorbera. Zastosowanie tlenku grafenu o transmitancji w zakresie 80 ÷ 86 % pozwoliło uzyskać na wyjściu lasera generację impulsową o częstotliwości w zakresie 54 ÷ 250 kHz. Zarejestrowana maksymalna średnia moc wyjściowa lasera wynosiła P_śr = 330 mW.

EN

This paper presents the results of generation experiments in the setup of a ceramic Nd: YAG laser with grapheme oxide as a passive Q - switched modulator. The preparation method of graphene oxide samples on the surface of SiO₂ glass, the arrangement of the laser setup and the measurement method are also described. The studied graphene oxide produced at the Institute of Electronic Materials Technology showed the properties of a saturable absorber. The application of grapheme oxide with transmittance in the range of (80 - 86) % allowed the pulse laser operation in the frequency range of (54 - 250) kHz. The maximum recorded average output power of the laser was P_av = 330 mW.

Słowa kluczowe

PL

grafen; tlenek grafenu; laser na ciele stałym; nasycalny absorber

EN

graphene; graphene oxide; solid state laser; saturable absorber

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2013
• Tom: T. 41, nr 3
• Strony: 19--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys.

Twórcy

autor

Podniesiński D.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Librant K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Kozłowska A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Nakielska M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Lipińska L.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Sobon G. et al: Graphene oxide vs. Reduced grapheme oxide as saturable abbsorbers for Er-doped passively mode-locked fiber laser, Optics Express, 13 aug. 2012, 17, 19463
• [2] Sobon G. et al: Chirped pulse amplification of a femtosecond Er-doped fiber laser mode-locked by a graphene saturable absorber, Laser Phys. Lett., 2013, 10, 035104
• [3] Shaojie Men et al: A graphene passively Q – switched Nd:YAG ceramic laser at 1123 nm, Laser Phys. Lett., 2013, 10, 035803
• [4] Man Jiang et al: Low-repetition high-energy passively Q-switched Nd:YAG solid laser based on grapheme saturable absorber operating at 1064 nm, Current Nanoscience, 2012, 8, 60 - 63
• [5] Man Jiang et al: Graphene-based passively Q-switched diode-side-pumped Nd:YAG solid laser, Optics Communications, 2011, 284, 5353 - 5356
• [6] Yonggang Wang et al: Graphene oxide absorbers for Watt-Level High-Power Passive Mode-Locked Nd:GdVO4, Journal of Lightwave Technology,October 15, 2012, 30, 20
• [7] Daniela C., Marcano et al: Improved synthesis of graphene oxide; ACSNANO, July 22, 2010, 4, 8, (www.acsnano.org)
• [8] Hwee Ling Poh et al: Graphenes prepared by Staudenmaier, Hofmann and Hummers methods with consequent thermal exfoliation exhibit very different electrochemical properties, Nanoscale, 2012, 4, 3515 (www.rsc.org/nanoscale)
• [9] Hummers W. S., Offeman R. E.: Preparation of graphitic oxide, J. Am. Chem. Soc., 1958, 80, 1339