Dwuwzbudnikowa nagrzewnica indukcyjna do krystalizacji metodą PVT – koncepcja i symulacja

• Autorzy: Wesołowski M. , Niedbała R.

Identyfikatory

DOI

10.12915/pe.2014.02.10

Warianty tytułu

EN

Two-inductors Induction Heating Device for PVT Semiconductor Processing

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wytwarzanie monokrystalicznych materiałów półprzewodnikowych jest techniką zaawansowaną, wymagającą spełnienia szeregu wymagań. Jakość monokryształów zależna jest przede wszystkim od warunków termicznych w strefie krystalizacji, zmiennych zarówno w funkcji współrzędnych przestrzennych jak i czasu. W artykule zaproponowano konstrukcję dwuwzbudnikowej nagrzewnicy indukcyjnej, umożliwiającej generację i kontrolę profili temperaturowych we wsadach, w szerokim zakresie. Omówiono konstrukcję modelu urządzenia oraz uzyskane charakterystyki eksploatacyjne. Wykonane prace badawcze, oprócz wykazania możliwości tej techniki grzewczej, stanowiły podstawę do prezentacji charakterystycznych cech oraz problemów przy modelowaniu urządzeń tej klasy.

EN

Processing of semiconducting materials is a very advanced and complex technique. The quality of crystals depends on several factors, especially on temperature filed within the crystallization zone. In the article, the new two inductors induction heating system was presented. The system enables for generation and precisely control of different temperature profiles within the workpieces. Some details and characteristic of the model were discussed. Tests of device were used to show basic problems of numerical modeling of such devices.

Słowa kluczowe

PL

monokrystalizacja; nagrzewanie indukcyjne; symulacja

EN

PVT crystallization; induction heating; modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 2
• Strony: 36--39
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., schem., wykr.

Twórcy

autor

Wesołowski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Elektroenergetyki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Niedbała R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Elektroenergetyki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Wijesundara M., Azevedo R.: Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments, Springer (2011), ISBN: 978-1-4419-7120-3;
• [2] Geiser J., Klein O., Philip P.: Transient Numerical Study of Temperature Gradients During Sublimation Growth of SiC, IMA Preprint Series#2079 / 2005;
• [3] Drachev R., Deyneka E., Rhodes C., Schupp J., Sudarshan T.: Fundamental Limitations of SiC PVT Growth Reactors with Cylindrical Heaters, Material Science Forum Vils. 527-529 (2006), pp. 15-20;
• [4] www.matweb.com, 20.10.2013;
• [5] M. Souley, A. Spagnolo, O. Pateau, B. Paya, J.C. Hapiot, P. Ladoux, P. Maussion, “Methodology to characterize the impedance matrix of multi-coil induction heating device,” Electromagnetic Properties of Materials EPM, (2009)
• [6] Souley M., Egalon J., Caux S., Pateau O., Maussion P.: Modeling and control of a multi phase induction system for metal disc heating, IEEE Trans. Magn., 10 (2010), pp 556 - 561
• [7] Souley M., Egalon J., Caux S., Pateau O., Maussion P.: Modeling and control of a multi phase induction system for metal disc heating, IEEE Trans. Magn., 10 (2010), pp 556 - 561
• [8] Nacke B., Wrona E.: Numerical Simulation Methods for Design of Complex Induction Hardening Problems by Means of Numerical Simulation, Archives of Electrical Engineering, Vol. 54 nr 4-2005, ISSN 0004-0746
• [9] Wesołowski M., Niedbała R.: Koncepcja wielomikroprocesorowego urządzenia do nagrzewania indukcyjnego, Elektronika, nr 2012/12.