Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik DC/DC z elementami z węglika krzemu – analiza symulacyjna

• Autorzy: Zdanowski M. , Rąbkowski J. , Barlik R.

Identyfikatory

DOI

10.12915/pe.2014.02.51

Warianty tytułu

EN

High frequency DC/DC converter with Silicon Carbide devices - simulation analysis

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wybrane zagadnienia projektowania wielogałęziowego wysokoczęstotliwościowego przekształtnika DC/DC o charakterystyce podwyższającej napięcie, przeznaczonego do zastosowania jako sprzęg odnawialnych źródeł energii z układem trójfazowego falownika napięcia. Przedstawiono zasadę działania układu oraz podstawowe przebiegi wartości chwilowych prądów i napięć wyznaczone w drodze symulacji w pakiecie SABER. Oszacowano i porównano straty mocy w układzie w zależności od zastosowanych elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu oraz wytypowano elementy do zastosowania w układzie rzeczywistym.

EN

This paper presents design issues of the interleaved DC/DC boost converter aimed to link renewable energy sources and three phase voltage source inverter. Operation principles of the inverter as well as basic waveforms of the currents and voltages obtained by SABER simulations are presented. Estimation and comparison of power losses for various Silicon Carbide power devices is also shown.

Słowa kluczowe

PL

przekształtnik podwyższający napięcie; węglik krzemu; straty mocy

EN

boost converter; silicon carbide; power losses

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 2
• Strony: 201--204
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., schem., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zdanowski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Rąbkowski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Barlik R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Friedrichs P., Silicon carbide power semiconductors – new opportunities for high efficiency, 3-rd IEEE Conf. on Industrial Electronics and Applications ICIEA (2008), 1770-1774
• [2] Biela J., Schweizer M., Waffler S., Kolar J. W., SiC vs. Sievaluation of potentials for performance improvement of inverter and DC-DC converter systems by SiC power semiconductors, IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 58 , (July 2011) Issue 7 , 2872-2882
• [3] Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M., Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice, Przegląd Elektrotechniczny, 82 (2006), nr 11, 1- 8
• [4] Chunliu C., Chenghua W., Feng H., Research of an Interleaved Boost Converter with four Interleaved Boost Convert Cells, Asia Pacific Conference on Postgraduate Research in Microelectronics & Electronics (2009), 396-399
• [5] Kosai H., Scofield J., McNeal S., Jordan B., Ray B., Design and Performance Evaluation of a 200 °C Interleaved Boost Converter, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 28, No. 4, April 2013, pp. 1691-1699
• [6] Zdanowski M., Rąbkowski J., Kostov K., Nee H.P., The Role of the Parasitic Capacitance of the Inductor in Boost Converters with Normally-On SiC JFETs, 7th International Power Electronics and Motion Control Conference – ECCE Asia, June 2-5, 2012, Harbin, China, pp 1842-1847
• [7] Zdanowski M., Rąbkowski J., Barlik R., Projekt, budowa i badania dławika o zredukowanej pojemności pasożytniczej uzwojeń dla przekształtnika typu DC/DC, Przegląd Elektrotechniczny, nr 12b/2012, 299-302
• [8] www.fairchildsemi.com (2013)
• [9] www.cree.com (2013)
• [10] www.semisouth.com (2012)
• [11] www.ferroxcube.com (2013)