Stan badań nad laserami kaskadowymi na zakres średniej podczerwieni w ITE

• Autorzy: Bugajski M. , Sobczak G. , Pierścińska D. , Michalak K. , Gutowski P. , Janus K. , Pierściński K. , Branas J. , Kuzmicz A. , Chmielewski K. , Sankowska I.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.08.10

Warianty tytułu

EN

Mid-infrared quantum cascade lasers developed at ITE

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówione zostaną paramery laserów kaskadowych wutwarzanych w Instytucie Technologii Elektronowej. Wskazane zostaną obszary w których lasery wytwarzane w kraju mogą konkurowac z podobnymi przyrządami wytwarzanymi za granicą.

EN

The paper describes the status of technology of mid-IR quantum cascade lasers (QCLs) based on GaAs/AlGaAs and InAlAs/InGaAs/InP material system developed at the Institute of Electron Technology. Two main types of lasers were investigated. First, was based on lattice matched active region designed for wavelengths of λ=9.0 μm-10.0 μm. The second, was based on strain-compensated active region designed for wavelengths of λ=4.5 μm-5.5 μm. Basic characteristics and parameters of all types of lasers are discussed. Possible applications in which the lasers developed at ITE can compete with those available on world market are indicated.

Słowa kluczowe

PL

kwantowy laser kaskadowy; średnia podczerwień

EN

quantum laser; cascade laser; mid-infrared

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 8
• Strony: 35--38
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Bugajski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Sobczak G.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Pierścińska D.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Michalak K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Gutowski P.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Janus K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Pierściński K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Branas J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Kuzmicz A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Chmielewski K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Sankowska I.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Bibliografia

• [1] K. Kosiel, M. Bugajski, A. Szerling, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, E. Pruszyńska-Karbownik, J. Muszalski, A. Łaszcz, P. Romanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, I. Makarowa, P. Perlin , "77 K operation of AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Lasers", Photonics Letters of Poland, vol.1, 16 (2009)
• [2] K. Kosiel, A. Szerling, P. Karbownik, I. Sankowska, E. Pruszyńska-Karbownik, K. Pierściński, D. Pierścińska, P. Gutowski, M. Bugajski, "Room Temperature AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Lasers", Photonics Letters of Poland, vol. 3, nr. 2, str. 55-57 (2011)
• [3] M. Bugajski, K. Kosiel, A. Szerling, P. Karbownik, K. Pierściński, D. Pierścińska, G. Hałdaś and A. Kolek, „High power AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers” (invited paper), Semiconductor Lasers and Laser Dynamics V, K. Panajotov, M. Sciamanna, A. Valle, R. Michalzik, (eds.), Proc. of SPIE Vol. 8432, 84320I
• [4] M. Bugajski, P. Gutowski, P. Karbownik, A. Kolek, G. Hałdaś, K. Pierściński, D. Pierścińska, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, A. Trajnerowicz, K. Kosiel, A. Szerling, J. Grzonka, K. Kurzydłowski, T. Slight, W. Meredith, „Mid-IR quantum cascade lasers: Device technology and non-equilibrium Green's function modeling of electro-optical characteristics” (invited paper), Physica Status Solidi (b), vol. 251, no. 6, 1144– 1157 (2014)
• [5] A. Kolek, G. Hałdaś, M. Bugajski, K. Pierściński, P. Gutowski, ”Impact of Injector Doping on Threshold Current of Mid-Infrared Quantum Cascade Laser - Non-Equilibrium Green’s Function Analysis”, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (2014)
• [6] P. Gutowski, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, K. Pierściński, D. Pierścińska, I. Sankowska, J. Kubacka-Traczyk, M. Sakowicz, M. Bugajski, “Room-temperature AlInAs/InGaAs/InP quantum cascade lasers, Photonics Letters of Poland”, vol. 6, nr. 3, (2014)
• [7] I. Sankowska, P. Gutowski, A. Jasik, K. Czuba, J. Dąbrowski, M. Bugajski, “On the onset of strain relaxation in the Al0.45Ga0.55As/InxGa1−xAs active region in quantum cascade laser structures” J. Appl. Crystallogr. 50, 1376 (2017)
• [8] P. Gutowski, I. Sankowska, P. Karbownik, O. Serebrennikowa, M. Morawiec, E. Pruszyńska-Karbownik, K. Gołaszewska- Malec, D. Pierścińska, K. Pierściński, J. Muszalski, M. Bugajski, “MBE growth of strain compensated InGaAs/InAlAs/InP quantum cascade lasers”, Journal of Crystal Growth, 466, 22-29 (2017)
• [9] D. Pierścińska, P. Gutowski, G. Hałdaś, A. Kolek, I. Sankowska, J. Grzonka, J. Mizera, K. pierściński, M. Bugajski, Above room temperaturę operation of InGaAs/AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers, Semicond. Sci. Technol. 33, 035006 (2017)

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).