Analiza strat przekształtnika napięcia z tranzystorami SiC MOSFET

• Autorzy: Nowak Marcjan , Barasiński Adrian

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2025.02.21

Warianty tytułu

EN

Loss analysis of a voltage inverter with SiC MOSFET transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono analizę strat przełączeniowe w przekształtnikach energoelektronicznych z tranzystorami SiC MOSFET. Omówiono wpływ częstotliwości przełączania na generowanie ciepła oraz metody ograniczania strat, takie jak stosowanie gasików, optymalizacja sterowników bramkowych i wykorzystanie zaawansowanych technologii materiałowych (SiC, GaN). Badania teoretyczne i praktyczne wskazują na korzyści z wykorzystania symulacji komputerowych w projektowaniu przekształtników.

EN

The paper presents an analysis of switching losses in power electronic converters with SiC MOSFET transistors. The influence of switching frequency on heat generation and methods of reducing losses, such as the application of snubbers, gate driver optimization and the use of advanced material technologies (SiC, GaN) are discussed. Theoretical and practical studies indicate the benefits of using computer simulations in the design of power inverters.

Słowa kluczowe

PL

model symulacyjny; przekształtnik; straty mocy; tranzystor SiC MOSFET

EN

simulation model; power converter; power losses; SiC MOSFET transistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2025
• Tom: R. 101, nr 2
• Strony: 84--87
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Nowak Marcjan

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Katedra Elektroenergetyki, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

• https://orcid.org/0000-0002-3067-5872

autor

Barasiński Adrian

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Katedra Elektroenergetyki, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

• https://orcid.org/0009-0001-1735-2534

Bibliografia

• [1] Bose Bimal K. Modern Power Electronics and AC Drives, 2002.
• [2] Grzejszczak P., Barlik R., Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku, Przegląd elektrotechniczny, 09/2015.
• [3] Kaczmarczyk Z., Metoda projektowania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy E, Prace Naukowe Politechniki Śląskiej, Elektryka, 2014 R. 60 z. 4, s. 53-66, 2014,
• [4] Kaczmarczyk Z., Zellner M., Frania K., Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET, Przegląd elektrotechniczny, 03/2018.
• [5] Kaczmarczyk Z., Model i metoda projektowania wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 90 NR 6/2014.
• [6] Suetsugu T., Kazimierczuk M., Comparison of Class-E Amplifier With Nonlinear and Linear Shunt Capacitance, IEEE Transactions On Circuits And Systems, VOL. 50, NO. 8, August 2003.
• [7] Nota katalogowa tranzystora SiC MOSFET G3R40MT12D: https://www.farnell.com/datasheets/3189236.pdf
• [8] Xiong Y., Sun S., Jia H., Shea P., Shen Z.J., New Physical Insights on Power MOSFET Switching Losses, IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 24 Iss 2, 525-531, 2009.
• [9] Zbiór informacji - dokumentacja programu Matlab Simulink - Silnik BLDC