Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Determination of the sheet resistance of solar cell emitter layer using effective concentration-independent diffusion coefficient
Języki publikacji
Abstrakty
W niniejszym artykule poddano weryfikacji wyznaczone przez autorów efektywne wartości współczynnika dyfuzji fosforu w krzemie. W ramach przeprowadzonych badań, w różnych temperaturach procesu domieszkowania dyfuzyjnego, wytworzono warstwy emiterowe na podłożach krzemowych a następnie dokonano pomiarów rezystancji powierzchniowej. W kolejnym etapie wyniki pomiarów porównano z wartościami obliczonymi z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji.
In this paper was verified effective diffusion coefficient of phosphorus in silicon. As part of the research have been produced emitter layers on silicon wafers and then sheet resistance were measured. In a next step the measurement results are compared with the values calculated using the effective diffusion coefficient.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
26--28
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Automatyki, ul. Akademicka 16, 44-100 Gliwice
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Automatyki, ul. Akademicka 16, 44-100 Gliwice, Politechnika Śląska, Katedra Biosensorów i Przetwarzania Sygnałów Biomedycznych, ul. Roosevelta 40, 41-800 Zabrze
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Automatyki, ul. Akademicka 16, 44-100 Gliwice
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Automatyki, ul. Akademicka 16, 44-100 Gliwice
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Automatyki, ul. Akademicka 16, 44-100 Gliwice
Bibliografia
- [1] Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Drabczyk K., Badania nad możliwościami jednorodnego domieszkowania warstwy emiterowej struktury fotowoltaicznej w niskiej temperaturze procesu dyfuzji, Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania, vol. 51, nr 5, 60-62, 2010
- [2] Iyengar V., Nayak B., Gupta M., Silicon PV devices based on a single step for doping, anti-reflection and surface passivation, Solar Energy Materials and Solar Cells, Volume 94, Issue 12, December 2010, 2205-2211
- [3] Singha B., Solanki C., Study of boron precipitates formed during front side emitter formation with boron spin on dopant (BSOD) diffusion in ntype c- Si solar cells, Energy Procedia 57 (2014) 117-125
- [4] Yadav A., Singh G., Nekovei R., c-Si solar cells formed from spin-on phosphoric acid and boric acid, Renewable Energy, Volume 80, August 2015, 80-84
- [5] Tang Y., Zhoua C., Wanga W., Zhaoa Y., Zhoua S., Feic J., Cao H., N+ emitters realized using Ammonium Dihydrogen Phosphate for silicon solar cells, Solar Energy, Volume 95, September 2013, 265-270
- [6] Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Skwarek A., Drabczyk K., Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego, Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania, vol. 52, nr 4, str. 57-59, 2011
- [7] Crank J., The mathematics of diffusion, Clarendon Press, Oxford 1975
- [8] Wolf H., Półprzewodniki, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1975
- [9] Kuźmicz W., Projektowanie analogowych układów scalonych, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1981
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-890aa3ca-6ea4-4544-87ad-a649315b80ed