Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Identyfikatory
Warianty tytułu
Optimization of the active region of interband cascade laser
Języki publikacji
Abstrakty
W tym artykule przedstawiono teoretyczne badania struktury pasmowej studni kwantowych II rodzaju InAs/GaInSb i InAs/GaAsSb, które mogą być stosowane jako obszary aktywne międzypasmowych laserów kaskadowych, emitujących w szerokim zakresie średniej podczerwieni. Stosując wielopasmowy model kp obliczono zależność energii oraz siły oscylatora fundamentalnego przejścia optycznego od grubości warstw stanowiących studnie kwantowe dla elektronu.
In this paper, we present theoretical investigations of the band structure of type-II InAs/GaInSb and InAs/GaAsSb quantum wells dedicated for the active region of interband cascade lasers emitting in a broad range of mid infrared. We utilize the multiband kp theory in order to calculate the dependence of the energy and oscillator strength of the fundamental optical transition on the thickness of particular layers confining electrons.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
24--26
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz., rys.
Twórcy
autor
- Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Katedra Fizyki Doświadczalnej, Laboratorium Optycznej Spektroskopii Nanostruktur, ul. Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław
Bibliografia
- [1] Bandyopadhyay N., Bai Y., Tsao S., Nida S., Slivken S., Razeghi M., Room temperature continuous wave operation of λ ∼ 3–3.2 μm quantum cascade lasers, Appl. Phys. Lett. 101 (2012), 241110
- [2] Tian Z., Li L., Ye H., Yang R.Q., Mishima T.D., Santos M.B., Johnson M.B., InAs-based interband cascade lasers with emission wavelength at 10.4 μm, Electron. Lett. 48 (2012), 113
- [3] Bewley W.W., Canedy Ch.L., Kim Ch.S., Kim M., Merritt Ch.D., Abell J., Vurgaftman I., Meyer J.R., Continuous-wave interband cascade lasers operating above room temperature at λ = 4.7-5.6 μm, Opt. Express 20 (2012), 3235
- [4] Vizbaras K., Amann M.C., Room-temperature 3.73 μm GaSbbased type-I quantum-well lasers with quinternary barriers, Semicond. Sci. Technol. 27 (2012), 032001
- [5] Motyka M., Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Bauer A., Höfling S., Forchel A., Type II quantum wells on GaSb substrate designed for laser-based gas sensing applications in a broad range of mid infrared, Opt. Mater. 34 (2012), 1107
- [6] Jiang Y., Li L., Tian Z., Ye H., Zhao L., Yang R.Q., Mishima T.D., Santos M.B., Johnson M.B., Mansour K., Electrically widely tunable interband cascade lasers, J. Appl. Phys. 115 (2014), 113101
- [7] Vurgaftman I., Canedy C.L., Kim C.S., Kim M., Bewley W.W., Lindle J.R., Abell J., Meyer J.R., Mid-infrared interband cascade lasers operating at ambient temperatures, New J. Phys. 11 (2009), 125015
- [8] Vurgaftman I., Bewley W.W., Canedy C.L., Kim C.S., Kim M., Merritt C.D., Abell J., Lindle J.R., Meyer J.R., Rebalancing of internally generated carriers for mid-infrared interband cascade lasers with very low power consumption, Nature Commun. 2 (2011), 585
- [9] Zakharova A., Yen S.T., and Chao K.A., Hybridization of electron, light-hole, and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells, Phys. Rev. B 64 (2001), 235332
- [10] Yu X., Gu Y.-X., Wang Q., Wei X., and Chen L.-H., Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band kp model, Chin. Phys. B 20 (2011), 030507
- [11] Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Eight-band k·p modeling of InAs/InGaAsSb type-II W-design quantum well structures for interband cascade lasers emitting in a broad range of mid infrared, J. Appl. Phys. 114 (2013), 223519
- [12] Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R., Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys, J. Appl. Phys. 89 (2001), 5815
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-872924b3-5045-45fb-b3c4-8350a104be7d