Spintronika

• Autorzy: Mydlarz T.

Warianty tytułu

EN

Spintronics

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy pokazano przegląd wiedzy na temat mikro i spin elektroniki. Rozwój mikroelektroniki związany jest z fizyką półprzewodników. Poznanie własności fizycznych półprzewodników ich domieszkowanie i manipulowanie ładunkiem doprowadziło do rozwoju mikroelektroniki, powstawaniu zminiaturyzowanych podzespołów i urządzeń elektronicznych (diod i tnanzystorów, układów scalonych, mikroprocesorów, komputerów, telefonów komórkowych itp.). Pytanie jest zasadnicze „Czy manipulowanie ładunkiem w półprzewodnikach jest ograniczone jeśli tak to co dalej?” z rozwojem budową zminiaturyzowanych urządzeń elektronicznych nowoczesnych szybkich komputerów. Autor przedstawił krótki opis wiedzy i możliwości nowych materiałów magnetycznych mogących mieć ogromne zastosowanie w spinelektronice, nowej gałęzi wiedzy mającej początek w ostatnich latach ubiegłego wieku, w której to zasadniczą rolę odgrywa spin elektronu a właściwie manipulowanie nim.

EN

In the paper an overview of knowledge about microelectronics and spinelectronics is presented. The development of microelectronics is associated with the physics of semiconductors. Understanding the physical properties of semiconductors, their admixturing and manipulating of the charge has led to the development of the microelectronics and to the creating of the miniaturized components and electronic instruments and devices (diodes and transistors, integrated circuits, microprocessors, computers, mobile phones etc). The main question is: Is the manipulating of the charge in the semiconductors limited and if it is, what is next with the development and the construction of the miniaturized electronic devices and modern and fast computers? The author has presented a brief description of the knowledge and the possibilities of the new magnetic materials, that may have great applications in spinelectronics In the paper an overview of knowledge about microelectronics and spinelectronics is presented. The development of microelectronics is associated with the physics of semiconductors. Understanding the physical properties of semiconductors, their admixturing and manipulating of the charge has led to the development of the microelectronics and to the creating of the miniaturized components and electronic instruments and devices (diodes and transistors, integrated circuits, microprocessors, computers, mobile phones etc). The main question is: Is the manipulating of the charge in the semiconductors limited and if it is, what is next with the development and the construction of the miniaturized electronic devices and modern and fast computers? The author has presented a brief description of the knowledge and the possibilities of the new magnetic materials, that may have great applications in spinelectronics, which is a new branch of knowledge having the beginning in the last years of the previous century, and where the spin of the electron and the process of manipulation it plays the main role.

Słowa kluczowe

PL

półprzewodnik; półprzewodnik magnetyczny; spin elektronu; magnetoopór; nanostruktury; grafen; głowice indukcyjne; głowice rezystyrowe; urządzenia magnetorezystywne; twardy dysk

EN

semiconductors; diluted magnetic semicomductors; electron spin; magnetic resistivity; nanostructure; graphene materials; induction heat; resistivity heat; magnetoresistive device; hard dysk

• Wydawca: Wrocławska Wyższa Szkoła Informatyki Stosowanej "Horyzont"
• Czasopismo: Biuletyn Naukowy Wrocławskiej Wyższej Szkoły Informatyki Stosowanej. Informatyka
• Rocznik: 2011
• Tom: vol. 1
• Strony: 31--38
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Mydlarz T.

• Wrocławska Wyższa Szkoła Informatyki Stosowanej ul. Wejherowska 28, 54-239 Wrocław

Bibliografia

• [1] K. A. Gsschnejder, L. Eyring, Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths. Vol. 12. North-Holland, Amsterdam 1989.
• [2] J. Mulak, W. Suski, R. Troć, 2nd International Conference on the Electronic Structure of the Actinides proceedings, September 13-16, 1976. Ossolineum, Wrocław 1977.
• [3] O. V. Yazyev, Emergence of magnetism in grapheme materials and nanostructures, Reports on Progress in Physics 73 (2010), 1-15.
• [4] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D.Jiang, Y. Zang, S. V. Dubonos, I. V. Grigoriewa, A. A. Firsow, Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films, Science 306 (2004), 666-669.
• [5] Z. Wilamowski, Spintronika. Postępy Fizyki tom 55,zeszyt 3 (2004), 115-119.
• [6] S. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi, H. Munekata, Ferromagnetic Order Induced by Photogenerated Carriers in Magnetic III-V Semiconductor Heterostructures of (In-,Mn)As/GaS,. Phisical Review Letters 78 (1997), 4617-4620.
• [7] T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand, Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors, Science 287(2000), 1019-1022.
• [8] T. L. Makarova, B. Sundquist, R. Hohne, P. Esquinazi, Y. Kopelevich, P. Scharff, V. A. Davydov, L. S. Kashevarova, A. V. Rakhmanina, Magnetic carbon, Nature 413 (2001), 716-718.
• [9] P. Grünberg, Light Scattering from Spinwaves in Layered Magnetic Structures. Light Scattering in Solids V, (red.) M. Cardona, G. Güntherodt, Applied Physics Letters 66 (1989).
• [10] M. N. Baibich, J. M. Broto, A. Fert, F. Nguyen, P. Van DauF, F. Petroff, Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001) Cr Magnetic Superlattices, Phisical Review Letters 61, 21 (1988), 2472-2475.
• [11] M. Bowen, M. Bibes, A. Barthélémy, J.-P. Contour, A. Anane, Y. Lemaître, A. Fert, Nearly total spin polarization in La2/3Sr1/3MnO3 from tunneling experiments, Applied Physics Letters 82 (2001), 233-236.
• [12] S. S. P. Parkin, Ch. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant i S.-H. Yang, Giant tunnelling magnetoresistance at room temperature with MgO (100) tunnel barriers, Nature Materials 3 (2004), 862-867.
• [13] S. Khizoroev and D. Litwinov, JAP 95,9, (2004).
• [14] Y. W. Son, M. L. Cohen, S. G. Louie, Half-metallic grapheme nanoribbins. Nature 444 (2006), 347-349.