Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon

• Autorzy: Maliński M. A. , Chrobak Ł. B. , Bychto L. , Pawlak M.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

This paper presents experimental amplitude MFCA characteristics of the implanted silicon samples. Influence of the silicon implantation process for frequency MFCA characteristics has been analyzed. The idea and the experimental set-up of the proposed method have been presented and discussed. This paper proves that is possible to estimate depth of the implanted layer from MFCA experimental data.

PL

W artykule przedstawiono eksperymentalne charakterystyki MFCA dla próbek implantowanego krzemu. Przeanalizowano wpływ procesu implantacji krzemu na charakterystyki MFCA. Przedstawiono i poddano dyskusji ideę zaproponowanej metody oraz stanowisko eksperymentalne. Praca udowadnia, że możliwa jest estymacja głębokości warstwy implantowanej na podstawie eksperymentalnych charakterystyk MFCA.

Słowa kluczowe

EN

semiconductors; ion implantation; nondestructive testing techniques

PL

półprzewodniki; implantacja jonów; nieniszczące techniki badań

• Wydawca: Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
• Rocznik: 2013
• Tom: Nr 5
• Strony: 17--22
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Maliński M. A.

• Department of Electronics and Computer Science Technical University of Koszalin 2 Śniadeckich St. 75-343 Koszalin Poland

autor

Chrobak Ł. B.

• Department of Electronics and Computer Science Technical University of Koszalin 2 Śniadeckich St. 75-343 Koszalin Poland

autor

Bychto L.

• Department of Electronics and Computer Science Technical University of Koszalin 2 Śniadeckich St. 75-343 Koszalin Poland

autor

Pawlak M.

• Faculty of Physics, Astronomy and Informatics Nicolaus Copernicus University 5 Grudziądzka St. 87-100 Toruń Poland

Bibliografia

• 1. M. Maliński, Ł. Chrobak, “Determination of the Life Time of Excess Carriers in Silicon With Photoacoustic And Photocurrent Methods”, Journal of Physics: Conference Series 214 (2010), 21-25.
• 2. Ł. Chrobak, M. Maliński, „Badania parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem nieniszczącej techniki MFCA opartej na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych”, Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki 3 (2011), WPK, 39-47.
• 3. Ł. Chrobak, M. Maliński, „Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych”, Elektronika - technologie, konstrukcje, zastosowania LIII (12) (2012), 110-113.
• 4. Dietzel D., Gibkes J., Chotikaprakhan S., Bein B. K., Pelz J., "Radiometric analysis of laser modulated IR properties of semiconductors", International Journal of Thermophysics 24(3) (2003), 741-755.
• 5. Li B., Li X., Li W., Huang Q., Zhang X., Accurate determination of electronic transport properties of semiconductor wafers with spatialy resolved photo-carrier techniques, „Journal of Physics: Conference Series”, 214 (2010), 012013.
• 6. Zhang X., Li B., Gao C., Analysis of free carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers, “European Physics Journal Special Topics”, 153 (2008), 279-281.
• 7. Huang Q., Li B., Liu X., Influence of probe beam size on signal analysis of modulated free carrier absorption technique, “Journal of Physics: Conference Series”, 214 (2010), 012084.
• 8. Li W., Li B., Analysis of modulated free-carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers, “Journal of Physics: Conference Series”, 214 (2010), 012116.