Modelowanie ogniw słonecznych w oparciu o CIGS z defektami wdrożonymi w głównych warstwach

• Autorzy: Kohut Zinoviy , Całus Dariusz , Chabecki Piotr

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2023.03.19

Warianty tytułu

EN

Modeling solar cells based on CIGS with defects deployed in the main layers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przeanalizowano aktualny stan badań eksperymentalnych i symulacji elementów słonecznych (ES) opartych na CuInxGa1-xSe2 (CIGS) oraz omówiono sposoby zwiększenia efektywności. Podano wyniki symulacji ogniw słonecznych opartej na CIGS w programie SCAPS-1D. Wprowadzenie różnego rodzaju defektów oraz dodatkowego materiału warstwowego pozwoliło uzyskać wysokie wartości cech ES.

EN

The article analyzes the current state of experimental research and simulation of solar elements (SE) based on CIGS and discusses ways to increase efficiency. The results of the simulation of solar cells based on CIGS in the SCAPS-1D program are given.

Słowa kluczowe

PL

defekty w strukturze ES; uporządkowany materiał warstwowy; efektywność elementu słonecznego

EN

defects in the SE structure; ordered layered material; efficiency of the solar element

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2023
• Tom: R. 99, nr 3
• Strony: 117--119
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys.

Twórcy

autor

Kohut Zinoviy

• Czestochowa University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Institute of Electrical Power Engineering (1), Armii Krajowej Avenue 17, p.o. box 42-200 Częstochowa, Poland

• https://orcid.org/0000-0003-4895-8501+

autor

Całus Dariusz

• Czestochowa University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Institute of Electrical Power Engineering (1), Armii Krajowej Avenue 17, p.o. box 42-200 Częstochowa, Poland

• https://orcid.org/0000-+0003-4224-7020+

autor

Chabecki Piotr

• Czestochowa University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Institute of Electrical Power Engineering, Armii Krajowej Avenue 17, p.o. box 42-200 Częstochowa, Poland

• https://orcid.org/0000-0003-4857-8904+

Bibliografia

• [1] A. Kylnera. Effect of impurities in the CdS buffer layer on the performance of the Cu„In,GаSe2 thin film solar cell. Department of Materials Science, Angstrom Laboratory, Uppsala University, J. Appl. Phys. 85, 6858 (1999); doi: 10.1063/1.370204
• [2] A. Hultqvist, C. Platzer-Bjorkman, E. Coronel, M. Edoff. Experimental investigation of Cu(In1-x,Gax)Se2/Zn(O1-z,Sz) solar cell performance. Solar Energy Materials and Solar Cells.Volume 95, Issue 2, February 2011, Pages 497-503.
• [3] Jixiang Zhou, Changyu Li. Research on Copper Indium GalliumSelenide (CIGS) Thin-Film Solar Cells. E3S Web of Conferences 267, 02031 (2021) https://doi.org/10.1051/e3sconf/202126702031
• [4] Jingjing Qu, Linrui Zhang, Hao Wang, Xuemei Song, Yongzhe Zhang, Hui Yan. Simulation of double bufer layer on CIGS solar cell with SCAPS software. Optical and Quantum Electronics (2019). Vol. 51. Issue 12. 383
• [5] Istratov, A. A. et al. Nickel solubility in intrinsic and doped silicon. J. Appl. Phys. 97, 023505 (2005).
• [6] Marinopoulos, A. G., Santos, P. & Coutinho, J. DFT+U study of electrical levels and migration barriers of early 3d and 4d transition metals in silicon. Phys. Rev. B 92, 075124 (2015).

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa nr SONP/SP/546092/2022 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2024).