Development and research of W-parametersof potentially unstable four-poles basedon the mathematical modelof W-parametersof field-effect transistorsin the high-frequency range

• Autorzy: Voznyak Oleksandr , Kovalova Kateryna , Polievoda Yurii , Kolianovska Liudmyla , Ovsienko Svitlana , Solomon Alla

Identyfikatory

DOI

10.35784/iapgos.7071

Warianty tytułu

PL

Opracowanie i badanie parametrów Wpotencjalnie niestabilnychczwórników w oparciu o matematyczny model postaci Wtranzystorów polowychw zakresie wysokich częstotliwości

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The models underlying calculations and research provide the developers with information about the behavior of devices during operation. As modern technologies do not provide high accuracy of measurements, the unstructured models are used, in particular, four-poles, which describe electrical circuits through their external characteristics, without taking into account the internal structure. Four-pole parameters, such as conductivities and impedances, can be measured using special methods, which allows effective analysis of the electrical properties of devices and systems.

PL

Modele stanowiące podstawę obliczeń i badań dostarczają projektantom informacji na temat zachowania urządzeń podczas eksploatacji. Ponieważ współczesne technologie nie zapewniają wysokiej dokładności pomiarów, stosuje się modele bezstrukturalne, w szczególności czwórniki, które opisują schematy elektryczne poprzez ich charakterystykę zewnętrzną, bez uwzględnienia struktury wewnętrznej. Parametry czwórników, takie jak przewodność i impedancja, można zmierzyć za pomocą specjalnych metod, co pozwala skutecznie analizować właściwości elektryczne urządzeń i systemów.

Słowa kluczowe

EN

structureless models; field-effect transistors; four-poles; W-parameters

PL

modele bezstrukturalne; tranzystory polowe; czwórniki; parametry W

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
• Czasopismo: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
• Rocznik: 2025
• Tom: T. 15, nr 3
• Strony: 87--90
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., wykr.

Twórcy

autor

Voznyak Oleksandr

• Vinnytsia National Agrarian University, Vinnytsia, Ukraine

• https://orcid.org/0000-0002-0986-6869+

autor

Kovalova Kateryna

• Vinnytsia National Agrarian University, Vinnytsia, Ukraine

• https://orcid.org/0000-0001-7183-2996+

autor

Polievoda Yurii

• Vinnytsia National Agrarian University, Vinnytsia, Ukraine

• https://orcid.org/0000-0002-2485-0611+

autor

Kolianovska Liudmyla

• Vinnytsia National Agrarian University, Vinnytsia, Ukraine

• https://orcid.org/0000-0002-8645-3515

autor

Ovsienko Svitlana

• Vinnytsia National Agrarian University, Vinnytsia, Ukraine

• https://orcid.org/0000-0001-5234-4305+

autor

Solomon Alla

• Vinnytsia National Agrarian University, Vinnytsia, Ukraine

• https://orcid.org/0000-0003-2982-302%D0%A5+

Bibliografia

• [1] Anagnostou D. E., Papapolymerou J.: Active Device Modeling and Stability Using W-Parameters. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. 2003.
• [2] Filinyuk M. A., Gavrilov D. V., Lishchenko S. A.: Analysis of the methods and means of measuring the parameters of structureless models of multi electrode semiconductor devices. Bulletin of Zhytomyr Engineering and Technology Institute, 2002, 6–10.
• [3] Filinyuk M. A., Ogorodnyk K. V.: Information and measuring system for determining the parameters of active four-pole devices. VIII International Conference Control and Management in Complex Systems – CUCS–2005, Vinnytsia 2005, 73.
• [4] Filynyuk M. A., Ogorodnyk K. V., Lishchynska L. B.: Methods and means of measuring parameters of potentially unstable four-pole devices: monograph. VNTU, Vinnytsia 2010.
• [5] Franco S.: Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits. 4th Edition. McGraw-Hill. 2014.
• [6] Ghione G.: Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics. Cambridge University Press. 2009.
• [7] Gonzalez G.: Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design. 2nd Edition, Prentice Hall. 1996.
• [8] Metrology. Terms and definitions: DSTU 2681-94. Kyiv: State Standard of Ukraine 1994.
• [9] Podzharenko V. O., Kukharchuk V. V.: Measurement and computer-based measuring equipment: a textbook. NMK VO, Kyiv 1991.
• [10] Pozar D. M.: Microwave Engineering. 4th Edition, John Wiley & Sons. 2012.
• [11] Semenov A., et al.: Differential method for measuring the maximum achievable transmission coefficient of active microwave quadripole. Journal of Physics: Conference Series 1(1210), 2019, 012125.
• [12] Semenov A., et al.: Standard and nonstandard W-parameters of microwave active quadripole on a bipolar transistor for devices of infocommunication systems. Lecture notes on data engineering and Communications Technologies 178, 2023, 599–618.
• [13] Trihy V., Haddad G. I.: W-Parameters – A New Set of Network Parameters Useful in the Design of Active Circuits. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 19(11), 1971, 869–876.
• [14] Vendelin G. D., Pavio A. M., Rohde U. L.: Microwave Circuit Design Using Linear and Nonlinear Techniques. 2nd Edition, Wiley-Interscience. 2005.