PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Języki publikacji
PL EN
Abstrakty
PL
Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.
EN
A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.
Rocznik
Strony
24--31
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., rys.
Twórcy
autor
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
autor
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
Bibliografia
  • [1] Lipiński D., Sarnecki J., Brzozowski A., Mazur K.:Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym, Materiały Elektroniczne, 2012, 40/3, 28 - 37
  • [2] Yonehara T. and Sakaguchi K.: Novel SOI wafer technology, JSAP International, 2001, .4, 10 - 16
  • [3] Weber K. J. et al.: Silicon as a photovoltaic material, Materials Forum, 2004, 27 , 9 - 14
  • [4] Otto N. et al., Evolution of the microstructure during annealing of porous silicon multilayers, J. Appl. Phys. 2004, 95, 497 - 503
  • [5] Solanki C. S. et al: Porous silicon layer transfer processes for solar cells, Solar Energe Mat., & Solar Cells, 2004, 83, 101 - 113
  • [6] Solanki C.S. et al.: Characterization of free-standing thin crystalline films on porous silicon for solar cells, Thin Solid Films, 2004, 451 - 452, 649 - 654,
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-84b99597-594e-459d-b256-da2081303f5b
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.