Projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego

• Autorzy: Sarzała R. , Czyszanowski T.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.08.01

Warianty tytułu

EN

Design of nitride-based VCSEL with vertical current injection

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego lasera. Bezpośrednie wstrzykiwanie pradu do obszaru czynnego uzyskano stosując zamiast górnrgo zwierciadła DBR zwierciadło w postaci metalizowanej monolitycznej siatki podfalowej o wysokim kontraście współczynnika załamania. Korzystając z autorskiego oprogramowania powstałego w Zespole Fotoniki w Instytucie Fizyki Politechniki Łódzkiej przeprowadzono obliczenia numeryczne pozwalające wyznaczyć podstawowe parametry pracy zaproponowanej struktury laserowej.

EN

The paper presents the design of the nitride-based VCSEL enabling direct current injection into the active region of the laser. The direct injection of current into the active region is possible due to semiconductor-metal subwavelength grating used as top facet mirror. Using the multiphysics model of laser operation developed in the Photonics Team at the Institute of Physics of the Lodz University of Technology, numerical calculations were performed determining fundamental operation parameters of the proposed nitride-based VCSEL.

Słowa kluczowe

PL

laser półprzewodnikowy; modelowanie; laser VCSEL; GaN; HCG

EN

semiconductor laser; numerical simulation; VCSEL; GaN; HCG

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 8
• Strony: 1--4
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Sarzała R.

• Instytut Fizyki Politechnika Łódzka ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Czyszanowski T.

• Instytut Fizyki Politechnika Łódzka ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

Bibliografia

• [1] R. Michalzik, VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Berlin: Springer-Verlag) 2013.
• [2] T. C. Lu, C. C. Kao, H. C. Kuo, G. S. Huang, and S. C. Wang, “CW lasing of current injection blue GaN-based vertical cavity surface emitting laser”, Appl. Phys. Lett., vol. 92, no. 14, p.141102, 2008.
• [3] J. T. Leonard et al., “Demonstration of a III-nitride verticalcavity surface-emitting laser with a III-nitride tunnel junction intracavity contact”, Appl. Phys. Lett., vol. 107, no. 9, p. 091105, 2015.
• [4] T. Hamaguchi et al., “Milliwatt-class GaN-based blue verticalcavity surface-emitting lasers fabricated by epitaxial lateral overgrowth”, Phys. Status Solidi A, vol. 213, no. 5, pp. 1170–1176, 2016.
• [5] M. Gębski, et al., “Monolithic high-index contrast grating: a material independent high-reflectance VCSEL mirror” Opt. Exp., 23, 11674 (2015).
• [6] T. Czyszanowski, et al., Subwavelength grating as both emission mirror and electrical contact for VCSELs in any material system Sci. Rep. 7, 40348 (2017).
• [7] R. P. Sarzała and W. Nakwaski, “Optimisation of the 1.3-μm GaAs-based oxide-confined (GaIn)(NAs) vertical-cavity surface-emitting lasers for their low-threshold roomtemperature operation,” J. Phys Cond. Mat. vol. 16, art. S3121, 2004.
• [8] M. Dems, R. Kotynski, K. Panajotov, “Planewave admittance method—A novel approach for determining the electromagnetic modes in photonic structures,” Opt. Exp., vol. 13, pp. 3196–3207, 2005.
• [9] H. Tong et al., “Thermoelectric properties of lattice-matched AlInN alloy grown by metal organic chemical vapor deposition,” Appl. Phys. Lett.vol. 97, no.11, p.112105, 2010.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).