Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)

• Autorzy: Klamka J.

Warianty tytułu

EN

History of development of semiconductor devices used in practice in Poland (p. II)

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).

EN

Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).

Słowa kluczowe

PL

dioda półprzewodnikowa; przyrząd półprzewodnikowy; przyrząd mikrofalowy; dioda prostownicza; dioda Zanera; fotodioda; waraktor; dioda lawinowa; dioda Schottky'ego; dioda Gunna; tranzystor

EN

semiconductor diode; semiconductor devices; microwave device; rectifying diode; Zener diodes; photodiode; varactor; avalanche diode; Schottky diode; Gunna diode; transistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
• Rocznik: 2017
• Tom: nr 19-20
• Strony: 19--22
• Opis fizyczny: Bibliogr. 30 poz., rys.

Twórcy

autor

Klamka J.

Bibliografia

• [1] Groszkowski J. Konstrukcja tranzystora punktowego. Pat. PRL 37802.
• [2] Majewski Z., J. Klamka. 1955. Lokalne trawienie elektrolityczne germanu, Arch. Elektrot., 4, 9: 379-391.
• [3] Majewski Z., A. Brochocki, J. Klamka. 1955. Wpływ oczyszczania strefowego germanu na napięcie wsteczne układu stykowego german-wolfram. Arch. Elektrot., 4, 2: 394-396.
• [4] Brochocki A., J. Klamka, Z. Majewski. 1955. Otrzymywanie złączy warstwowych german-ind o właściwościach prostowniczych. Arch. Elektrot., 4, 2: 396-397.
• [5] J. Klamka. 1957. Technologia złącz p-n, Elektronika, 3: 10-11, 9-19.
• [6] J. Klamka. 1957. Germanowe diody mocy, Zesz. Nauk. PW, Elektryka, 15: 57-77.
• [7] Klamka J. 1958. Fotodiody germanowe, Prz. Tele-kom., 6, 32: 180-181.
• [8] Klamka J. 1959. Krzemowa dioda warstwowa Al-Si, Arch. Elektrot., 8, 2: 351-352.
• [9] Klamka J.1965. Diody krzemowe dużej mocy, Rozpr. Elektrot., XI, 4.
• [10] Klamka J. 1960. Diody germanowe i krzemowe, WNT, Warszawa.
• [11] Klamka J. 1960. Technology of Germanium p-n Alloyed Junction for Microwave Variable – Capacitance Diodes, Bull. Acad. Pol. Sci., Techn 8, 7: 385-390.
• [12] Klamka J. 1963. Półprzewodnikowe diody o zmiennej pojemności, WNT, Warszawa.
• [13] Klamka J. 1973. Diody mikrofalowe półprzewodnikowe, WNT, Warszawa.
• [14] Klamka J. 1982. Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa.
• [15] Klamka J. 1962. Germanium Varactor Diode With High Cut- -Off Frequency, Bull. Acad. Pol. Sc., Technol., 10, 11: 685-687.
• [16] Klamka J. 1964. Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych w szczególności mikrofalowych. Pat. PRL 51990.
• [17] Klamka J. 1965. Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, zwłaszcza waraktorów mikrofalowych. Pat. PRL 5 1993.
• [18] Klamka J. 1967. Krzemowe epitaksjalne waraktory mocy z dyfuzyjnymi złączami p-n, Prz. Elektron. 8, 11: 520-525 .
• [19] Klamka J. 1967. GaAs Diffused-Junction Varactor Diodes, Bull. Acad. Pol. Sci., Techn., 15, 12: 223-225.
• [20] Klamka J. 1970. Krzemowa dioda lawinowa na pasmo X, Arch. Elektrot., 19, (1): 173-174.
• [21] Klamka J. 2000. 40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce, Elektronika, 8-9: 11-21.
• [22] Klamka J., R. Latkowski. 1975. Diody Gunna o mocy ciągłej w paśmie X, III Kraj. Konf. MECS Zakopane 1974, Mikrofalowa elektronika ciepła stałego. PWN, Warszawa.
• [23] Klamka J., J. Parafianowicz, M. Suchecka, B. Korybut-Daszkiewicz. 1990. Diody Gunna dużej mocy i ich właściwości elektryczne, Prace ITE, 11-12: 163-173.
• [24] Klamka J. 1972. Mikrofalowe diody PIN, Arch. Elektron., XXI: 923-926.
• [25] Klamka J. 2017. Półprzewodnikowe przyrządy dla rozwoju elektroniki i techniki mikrofalowej w kraju. Rozdział w publikacji ITE „50 lat Instytutu Technologii Elektronowej”
• [26] Klamka J. 1984. Mikrofalowe diody Schottky’ego PtSi-Si, Prace ITE, 4: 1-11 (1983), Elektronika, 2.
• [27] Klamka J., M. Suchecka: (1984) Zrównoważony mieszacz na pasmo X z arsenkowo-galowymi diodami Schottky’ego, Prace ITE, 9, 1-17 (1984), Elek- tronika, 11: 22-26.
• [28] Klamka J., J. Kunicki, K. Saczuk, Z. Tkaczyk: (1996) Selected Issues of Design and Technology of HEMTs and Design of the S?P-HEMT Structures, Prace ITE, 6-12: 178-186.
• [29] Klamka J. 2006. Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe – z perspektywy 50 lat, Elektronika – konstrukcje, technologie, zastosowania, 6: 40-46.
• [30] Klamka J. 2002. Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych, Warszawa. Wyd. Agencja Lotnictwa ALTAIR Sp. z o.o.