Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP

• Autorzy: Knyps P. , Dumiszewska E. , Wesołowski M. , Strupiński W. , Kalbarczyk J. , Teodorczyk M.

Warianty tytułu

EN

Electrical and optical measurements of multijunction solar cells Ge/InGaAs/InGaP

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.

EN

In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.

Słowa kluczowe

PL

fotowoltaika; ogniwa wielozłączowe; pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych; wydajność kwantowa ogniwa

EN

photovoltaics; multijunction solar cells; measurements of current-voltage characteristics; quantum efficiency of solar cell

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 5
• Strony: 22--24
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Knyps P.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Dumiszewska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Wesołowski M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Strupiński W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Kalbarczyk J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Teodorczyk M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] European Photovoltaic Industry Association, „Connecting the Sun: How Europe's electricity grid can integrate solar photovoltaics”, EPIA Wrzesień 2012.
• [2] Green, M. A., Emery, K., Hishikawa, Y., Warta, W. and Dunlop, E. D.: „Solar cell efficiency tables (version 40)". Prog. Photovolt: Res. Appl., 20: 606-614, 2012.
• [3] GlobalData.com „Concentrated Photovoltaic (CPV) - Global Instalation Size, Cost Analysis, Efficiencies and Competitive Analysis to 2020", 04.2011.
• [4] Dumiszewska, E., P. Knyps, M. Wesołowski, M. Teodorczyk, W. Strupinski.: "The Influence of Pressure on the Roughness of InGaP Layers.", Acta Physica Polonica A Vol. 120 (2012) no. 6-AA-50-51.
• [5] Garcia I., I. Rey-Stolle C. Algora: „Performance analysis of AIGaAs/GaAs tunnel junctions for ultra-high concentration photovoltaics" J. Phys. D: Appl. Phys. 45 (2012).
• [6] King R. R., D. C. Law, К. M. Edmondson, С. M. Fetzer, G. S. Kinsay, H. Yoon, R. A. Sherif, N. H. Karam: "40% efficient metamorphic GalnP/GalnAs/Ge multijunction solar cells", Appl. Phys. Lett. 90, 183516 (2007).