PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Electrical and optical measurements of multijunction solar cells Ge/InGaAs/InGaP
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.
EN
In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.
Rocznik
Strony
22--24
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., wykr.
Twórcy
autor
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
Bibliografia
  • [1] European Photovoltaic Industry Association, „Connecting the Sun: How Europe's electricity grid can integrate solar photovoltaics”, EPIA Wrzesień 2012.
  • [2] Green, M. A., Emery, K., Hishikawa, Y., Warta, W. and Dunlop, E. D.: „Solar cell efficiency tables (version 40)". Prog. Photovolt: Res. Appl., 20: 606-614, 2012.
  • [3] GlobalData.com „Concentrated Photovoltaic (CPV) - Global Instalation Size, Cost Analysis, Efficiencies and Competitive Analysis to 2020", 04.2011.
  • [4] Dumiszewska, E., P. Knyps, M. Wesołowski, M. Teodorczyk, W. Strupinski.: "The Influence of Pressure on the Roughness of InGaP Layers.", Acta Physica Polonica A Vol. 120 (2012) no. 6-AA-50-51.
  • [5] Garcia I., I. Rey-Stolle C. Algora: „Performance analysis of AIGaAs/GaAs tunnel junctions for ultra-high concentration photovoltaics" J. Phys. D: Appl. Phys. 45 (2012).
  • [6] King R. R., D. C. Law, К. M. Edmondson, С. M. Fetzer, G. S. Kinsay, H. Yoon, R. A. Sherif, N. H. Karam: "40% efficient metamorphic GalnP/GalnAs/Ge multijunction solar cells", Appl. Phys. Lett. 90, 183516 (2007).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-803ea50b-1b13-45c8-9a3b-5263e74c4935
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.