Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

• Autorzy: Głowacki P. , Macherzyński W. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

PL

Wpływ niskotemperaturowego wygrzewania wstępnego heterostruktur AlGaN/GaN na adhezję naparowanych kontaktów Schottky’ego na bazie platyny

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper describes alternative method to improve adhesion of platinum thin layer to AlGaN/GaN heterostructures. Our approach was to use low temperature annealing before and during deposition process. The main goal was to observe if such treatment can provide better quality of Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructures.

PL

Artykuł opisuje alternatywną metodę poprawy adhezji cienkich warstw platynowych do heterostruktur utworzonych na azotku galu. Zastosowano niskotemperaturowe wygrzewanie przed i w trakcie procesu osadzania. Głównym celem było sprawdzenie, czy takie potraktowanie próbki może zapewnić lepszą jakość kontaktów Schottky’ego do heterostruktur AlGaN/GaN.

Słowa kluczowe

EN

adhesion; Schottky contact; annealing; AlGaN/GaN heterostructure; platinum

PL

metalizacja; kontakt Schottky’ego; wygrzewanie; heterostruktura AlGaN/GaN; platyna

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 108--110
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., il.

Twórcy

autor

Głowacki P.

• Wrocław University of Technology, Division of Electronics Photonics and Microsystems

autor

Macherzyński W.

• Wrocław University of Technology, Division of Electronics Photonics and Microsystems

autor

Paszkiewicz R.

• Wrocław University of Technology, Division of Electronics Photonics and Microsystems

autor

Tłaczała M.

• Wrocław University of Technology, Division of Electronics Photonics and Microsystems

Bibliografia

• [1] L. Wang, F. M. Mohammed, I. Adesida, "Formation mechanism of Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures Electrical and microstructural characterizations”, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103, 093516, 2008.
• [2] A. C. Schmitz et al., “Metal contacts to n-Type GaN”, Journal of Electronic Materials, Vol. 27, No. 4, 1998.
• [3] C. I. Wu, A. Khan, “Investigation of the chemistry and electronic properties of metal/gallium nitride interfaces”, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Volume: 16 , Issue: 4, Pages 2218-2223, 1998.
• [4] R. T. Tung, “Recent advances in Schottky barrier concepts”, Materials Science and Engineering, R 35, Pages 1 -138, 2001.
• [5] E. Monroy et al., “Thermal stability of Pt- and Ni-based Schottky contacts on GaN and Al 0.31 Ga 0.69N”, Semiconductor Science and Technology 17, L47-L54, 2002.
• [6] N. Nanda Kumar Reddy et al., “Influence of rapid thermal annealing effect on electrical and structural properties of Pd/RuSchottky contacts to n-type GaN”, Materials Chemistry and Physics 130, Pages 1000-1006, 2011.
• [7] W. Macherzyński, A. Szyszka, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Tłaczała, “Ruthenium based Schottky contacts on n-type GaN”, ASDAM 2008, The Seventh International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, October 12-16, 2008, Smolenice Castle, Slovakia.
• [8] L. Wang et al., “High barrier height GaNSchottky diodes: Pt/GaN and Pd/GaN”, Appl. Phys. Lett. 68, 1267, 1996.
• [9] Q. Z. Liu, S. S. Lau, “A REVIEW OF THE METAL-GaN CONTACT TECHNOLOGY”, Solid-State Electronics Vol. 42, No. 5, Pages 677- 691, 1998.
• [10] L. Dobos et al., Metal contacts to n-GaN, Applied Surface Science, Volume 253, Issue 2, 15 November, Pages 655-661, 2006.
• [11] N. Miura et al., “Effects of interfacial thin metal layer for high-peroformance Pt-Au-based Schottky contacts to AlGaN-GaN”, IEEE Transactions on Electronic Devices, Volume 51, Issue 3, Pages 297-303, 2004.
• [12] N. Miura et al., “Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN with insertion of high work function metal”, Solid-State Electronics, Volume 48, Issue 5, Pages 689-695, 2004.
• [13] W. Macherzyński, B. Paszkiewicz, A. Szyszka, R. Paszkiewicz, M. Tłaczała, “EFFECT OF ANNEALING ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF PLATINUM BASED SCHOTTKY CONTACTS TO N-GaN LAYERS”, Journal of ELECTRICAL ENGINEERING, VOL. 60, NO. 5, 276-278, 2009.
• [14] W. Macherzyński, „WYTWARZANIE KONTAKTU PROSTUJĄCEGO Ni/Pt/Au DO WARSTWY GaN TYPU n”, XXVII konferencja elektroniki i telekomunikacji, SECON 2008, Warszawa WAT, 2008.
• [15] S. N. Mohammed et al., "Near-ideal Platinum-GaNSchottky diodes”, Electronics Letters, Vol. 32, No. 6, Pages 598-599, 1996.
• [16] W. Macherzyński, „Kontakty omowe i prostujące do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną”, rozprawa doktorska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska, Wrocław 2010.