Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Rezystywne warstwy Ni-W-P wytwarzane metodą chemicznej metalizacji
Języki publikacji
Abstrakty
The paper describes a new method of obtaining of Ni-W-P resistor layers, featuring elevated electrical stability. Such layers may be introduced into the manufacturing process of precise metal film resistor.
Artykuł opisuje nową metodę uzyskiwania warstw rezystywnych Ni-W-P, charakteryzujących się podwyższoną stabilnością elektryczną. Warstwy te mogą być wykorzystane do procesu wytwarzania precyzyjnych rezystorów warstwowych.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
105--106
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki, Instytut Elektroniki, ul. Akademicka 16, 44-100 Gliwice
autor
- Politechnika Śląska, Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki, Instytut Elektroniki, ul. Akademicka 16, 44- 100 Gliwice
Bibliografia
- [1] Brenner A., Riddell G., U.S. 2,532,283 (1960) Dec 5
- [2] Serota L., Metal Finishing 6 (1962) 47
- [3] Pearlstein G., Metal Finishing 6 (1963) 110-112
- [4] Pruszowski Z., Kowalik P., Waczyński K., Types of Resistive Layers Basing an Alloys of Transition Metals and Semiconductors Produced Using Chemical Reduction Method and Applied for the Production of Fixed Film Resistors, Proc. Of European Microelectronics Packaging and Interconnection Symposium, Cracow, Poland, 16-18 June 2002, 324-327
- [5] Mencer D., Journal of materials and compounds 106, 158,2000
- [6] Li Hexing, Applied surface science 125, 158, 1998
- [7] Takeo J., Chem. Letters 6 (1989) 146
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-7e17f4ce-6c69-4938-b3a6-fc15af08fb0a