Minimalizacja prądów powierzchniowych rezystorów teraomowych w transferach wysokich rezystancji

• Autorzy: Lisowski M. , Kocjan B. , Krawczyk K.

Identyfikatory

DOI

10.32016/1.59.27

Warianty tytułu

EN

Minimization of resistors surface currents of the teraohm resistance guarded transfer devices

• Konferencja: L Międzyuczelniana Konferencja Metrologów MKM 2018 (L; 10.09-12.09.2018; Szczecin - Kopenhaga, Polska - Dania)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Jednym z wielu czynników wpływających na dokładność transferów teraomowych są prądy powierzchniowe rezystorów. W referacie przedstawiono metodykę badań wpływu tych prądów na mierzoną wartość rezystancji. Zamieszczono wyniki badań eksperymentalnych wykonanych na modelu fizycznym składającym się z dwóch 10 TΩ rezystorów w gałęzi głównej i dwóch 0,1 TΩ rezystorów w gałęzi pomocniczej.

EN

One of the factor that influence accuracy of high value resistors measurements is presence of surface currents. In the paper the influence of resistors surface currents on high value resistors resistance is discussed. The results of research over minimization of surface currents by applying conductive protective electrode on high value resistors are presented. Also the way of minimization of surface currents in the guarded resistance transfer devices are presented. Moreover, the way of changing resistance settling times are presented.

Słowa kluczowe

PL

pomiary rezystancji teraomowych; prądy powierzchniowe rezystorów; transfer wysokich rezystancji

EN

teraohm resistance measurements; high resistance transfer devices; surface currents of resistors

• Wydawca: Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2018
• Tom: Nr 59
• Strony: 127--130
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Lisowski M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Techniczno-Przyrodniczy tel.:[phone]

autor

Kocjan B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektryczny, Katedra Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii tel.: [phone]

autor

Krawczyk K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektryczny, Katedra Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii tel.: [phone]

Bibliografia

• 1. Lisowski M., Krawczyk K.: “Resistance scaling from 10 kΩ up to 100 TΩ with new designs of Hamon transfer devices”. IEEE Trans. on Instrumentation and Measurement vol. 62 (2013), no. 6, p. 1749 – 1754.
• 2. Lisowski M., Krawczyk K., Kocjan B., „Koncepcja dwutorowego system przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR do wzorców do 100 TΩ”. Pomiary Automatyka Kontrola vol. 58 (21012) nr. 9, s. 779-781.
• 3. Kocjan B., Krawczyk K., Lisowski M.: „Simulations analysis of the influence of leakage resistance on (1-10-100) TΩ guarded resistance transfer devices accuracy”, Measurement, vol. 93 (2016), pp. 13-20.
• 4. Lisowski M., Krawczyk K.: Prototypowe wysokoomowe transfery Hamona, Materiały Sympozjum: Elektryczne Pomiary Dokładne EPD’2010, Politechnika Śląska, Ustroń 2010.

Uwagi

PL

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).