Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes

• Autorzy: Szewczyk A. , Stawarz-Graczyk B.

Warianty tytułu

PL

Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym

• Konferencja: Zastosowanie komputerów w nauce i technice 2014 (XXIV; 2014; Gdańsk, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.

PL

Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.

Słowa kluczowe

EN

RTS noise; Schottky diodes

PL

szumy RTS; dioda Schottky'ego

• Wydawca: Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2014
• Tom: Nr 40
• Strony: 103--106
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Szewczyk A.

• Gdansk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics Department of Metrology and Optoelectronics, 11/12 G. Narutowicza Street, 80-233 Gdansk, Poland

autor

Stawarz-Graczyk B.

• Gdansk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics Department of Metrology and Optoelectronics, 11/12 G. Narutowicza Street, 80-233 Gdansk, Poland

Bibliografia

• 1. Konczakowska, A., Cichosz, J., Szewczyk, A., Stawarz, B.: Identification of optocoupler devices with RTS noise. Fluctuation and Noise Letters, vol. 6, no. 4, 2006, pp. L395-L404.
• 2. Stawarz-Graczyk, B., Dokupil, D., Flisikowski, P.: A method of RTS noise identification in noise signals of semiconductor devices in the time domain. Metrology and Measurements Systems, vol. XVII, no. 1, 2010, pp. 95-108.
• 3. Stawarz-Graczyk, B., Załęski, D., Konczakowska, A.: The automatic system for identification of random telegraph signal (RTS) noise in noise signals. Metrology and Measurements Systems, vol. XIV, no. 2, 2007, pp. 219-228.
• 4. Lal-Jadziak, J., Sienkowski, S.: Models of bias of mean square value digital estimator for selected deterministic and random signals. Metrology and Measurements Systems, vol. XV, no. 1, 2008, pp. 55-68.
• 5. Cichosz, J., Szatkowski, A.: Noise scattering patterns methods for recognition of RTS noise in semiconductor components. Proc. of 18th Inter. Conference on Noise and Fluctuations – ICNF 2005, Salamanca, Spain, 19-23 September 2005, Eds. T. Gonzalez, J. Mateos, D. Pardo, AIP Conference Proceedings, pp. 973-676.
• 6. Cichosz, J., Szatkowski, A.: The method for burst noise detection, particularly in semiconductor devices. Patent application P-375610, Polish Patent Office, 2005.
• 7. Konczakowska, A., Cichosz, J., Szewczyk, A.: A new method for RTS noise of semiconductor devices identification. IEEE Transactions on Instrumentation and
• Measurement, vol. 57, no. 6, 2008, pp. 1199-1206.
• 8. CREE Technical Data, http://www.cree.com
• 9. Infineon Technical Data, http://www.infineon.com
• 10. Agarwal, A., Singh, R., Ryu, S-H., Richmond, J., Capell, C., Schwab, S., et al. 600 V, 1- 40 A, Schottky Diodes in SiC and Their Applications. http://www.cree.com/products/pdf/PWRTechnicalPaper1.pdf.
• 11. Szewczyk, A., Stawarz-Graczyk, B.: Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes. 20th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF-2009) Pisa, Italy, AIP Conference Proceedings, 2009, pp. 645-648.