Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice

• Autorzy: Dumiszewska E. , Grodecki K. , Krajewska A. , Jóźwik I. , Strupiński W.

Warianty tytułu

EN

InP nanowires for photovoltaic applications

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania nanodrutów InP na podłożach InP o orientacji (100) oraz (111)B oraz nanodrutów GaAs na podłożach GaAs o orientacji (100) i (111). Nanodruty zostały wykonane za pomocą metody Epitaksji z Fazy Gazowej z Użyciem Związków Metaloorganicznych (MOVPE). Jako katalizator wzrostu wykorzystano nanocząstki złota o średnicy ~ 30 nm. Wszystkie prace zostały wykonane w zakładzie Epitaksji i Charakteryzacji Związków Półprzewodnikowych ITME.

EN

In this work the production methods of InP nanowires on InP (100) and (111)B substrates and GaAs nanowires on (100) and (100) substrates are presented. The nanowires were grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Gold nanoparticles having a diameter of around 30 nm were used as a growth catalyst. All growth processes were carried out in the Department of Epitaxy and Characterization of ITME.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja; nanodruty; InP; ogniwa słoneczne

EN

epitaxy; nanowiwires; InP; solar cell

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2015
• Tom: T. 43, nr 4
• Strony: 4--9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys.

Twórcy

autor

Dumiszewska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Grodecki K.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Nowych Technologii i Chemii, ul. Gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

autor

Krajewska A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Jóźwik I.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Strupiński W.

Bibliografia

• [1] World Energy Council, World Energy Issues Monitor 2013
• [2] Intergovernmental Panel of Climate Change, Climate Change 2007; Mitigation of Climate Change
• [3] Green M. A.: Third generation photovoltaics: Ultra-high conversion efficiency al low cost, Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2001, 9, 123
• [4] Shokley W., Queisser H. J.: Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells, J. Appl. Phys., 1961, 32, 510
• [5] Dimroth F., Kurtz S., High efficiency multijunction solar cells, MRS Bull., 2007, 32, 230
• [6] http://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1319624&.
• [7] Luque A., Andreev V. (eds.), Concentrator photovoltaics, Springer, Berlin, 2007
• [8] Dumiszewska E., Knyps P., Wesołowski M., Teklińska D., Strupiński W.: Trójzłączowe ogniwa słoneczne osadzane na podłożach germanowych – technologia i zastosowanie, Konferencja ELTE, Ryn, 16 –20.04.2013
• [9] Knyps P., Dumiszewska E., Wesołowski M., Strupiński W., Kalbarczyk, Teodorczyk M.: Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP, Elektronika, 2013, 5
• [10] Dumiszewska E., Knyps P., Wesołowski M., Teodorczyk M., Strupinski W.: The influence of pressure on the roughness of InGaP layers, Acta Physica Polonica A, 2011, 120, 6A, A-50-A-51
• [12] Wagner R. S., Ellis W. C.: Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth, Appl. Phys. Lett., 1964, 4, 89 – 90
• [13] Persson A. I., Larsson M. W., Stenstrom S., Ohlsson B. J., Samuelson L., Wallenberg L. R.: Solid-phase diffusion mechanism for GaAs nanowire growth, Nat. Mater., 2004, 3, 677 – 681
• [14] Pan Z. W., Dai Z. R., Wang Z. R., Nanobelts of semiconducting oxides, Science, 2001, 291, 1947 – 1949
• [15] Woo R. L., Gao L., Goel N., Hudait M. K., Wang K. L., Kodambaka S., Hicks R. F.: Kinetic control of self-catalyzed indium phosphide nanowires, nanocones, and nanopillars, Nano Lett., 2009, 9, 6
• [16] Grodecki K., Dumiszewska E., Romaniec M. Strupinski W.: InP nanowires quality control using SEM and Raman spectroscopy, (zaakceptowane do druku w Materials Science Poland)

Uwagi

Błąd w numeracji bibliografii