Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semiconductors

• Autorzy: Vorobey R. I. , Gusev O. K. , Tyavlovsky K. L. , Svistun A. I. , Shadurskaya L. I. , Yarzhembitskaya N. V. , Kierczyński K.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2015.08.21

Warianty tytułu

PL

Kontrolowanie charakterystyk przetworników fotowoltaicznych w oparciu o półprzewodniki

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The features of photovoltaic cells with their own photoconductivity in semiconductors with deep-level multiply-charge impurity have been considered. The use of such structures can significantly extend the dynamic range of sensitivity and gain new functional properties of single-element photoelectric receivers. Photovoltaic converters based on semiconductors with deep-level multiply-charge acceptor type impurity enable devices with a wider functionality, whereas the structure with multiply-charge donor type impurity has better linearity of energy performance. In the development of photoelectric receiver with advanced functionality features the model of recombination processes in multiply-charge impurity in a wide range of optical radiation power density has been used.

PL

W pracy przedstawiono właściwości fotoelektrycznych przetworników z samoistną foto przewodnością na bazie półprzewodników z głęboką wieloładunkową domieszką. Wykorzystanie takich struktur pozwala w sposób istotny rozszerzyć zakres dynamicznej czułości i otrzymać nowe funkcjonalne właściwości fotodetektorów. Przetworniki fotoelektryczne na bazie półprzewodników z głęboką wieloładunkową domieszką typu akceptorowego pozwalją zbudować urządzenia o szerszej funkcjonalności, a struktury z wieloładunkową domieszką typu donorowego mają lepszą liniowość charakterystyki energetycznej. Przy projektowaniu foto odbiorników z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami wykorzystano model rekombinacyjnych procesów na wieloładunkowej domieszce w szerokiej skali gęstości mocy promieniowania optycznego.

Słowa kluczowe

EN

photoelectric converter; switching characteristics; intrinsic conductivity; charge state

PL

przetwornik fotoelektryczny; przełączenia charakterystyk; konduktywność samoistna; wieloładunkowa domieszka

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 8
• Strony: 81--85
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Vorobey R. I.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Gusev O. K.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Tyavlovsky K. L.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Svistun A. I.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Shadurskaya L. I.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Yarzhembitskaya N. V.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Kierczyński K.

• Lublin University of Technology, Department of Electrical Devices and H.V. Technology, 38a Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland

Bibliografia

• [1] Karimov A.V., Edgorova D.M., Giyasova F.A., Asimov T.M., Buzrukov U.M., Yakubov A.A., Features of photovoltaic characteristics of photovoltaic and electric structures, Functional micro-and nanoelectronics, (2007), n.4, 23-28. (in Russian).
• [2] Filachev A.N., Taubkin I.I., Trishenkov M.A., Solid Photoelectronics, Moscow, Fizmatkniga, (2011), (in Russian)
• [3] Vorobey R.I., Gusev O.K., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L., Svistun A.I., Kierczynski K., Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range, Przeglad electrotechniczny, 90 (2014), nr 5, 75-78.
• [4] Gusev O.K., et al., The influence of power density of optic radiation on the dynamic metrological characteristics of semiconductors converters with multiple-charged impurities. Metrology and instrumentation engineering, (2009), n.3, 14- 18.
• [5] Vorobey R.I., et al., Modeling of methods and facilities of multi-parametrical measurements based on single-element primary converters. Devices and systems. Management, control, diagnostics, (2009), n.7, 33-37.
• [6] Gusev O.K., Svistun A.I., Shadurskaya L.I., Yarjembitskaya N.V., Design and control of metrological characteristics of photovoltaic converters based on multiply charged impurities semiconductors. Sensors and systems, (2011), n.1, 22-24, (in Russian)
• [7] Shadurskaya L.I., Yarjembitskaya N.V., The calculating methodology of nonequilibrium charge carrier lifetime in semiconductors with several defect types, Theoretical and Applied Mechanics: scientific articles, Minsk, 18 (2005), 217- 223.
• [8] Gusev O.K., Vorobey R.I., Svistun A.I., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L. Shadurskaya L.I., Yarjembitskaya N.V., Controlled additional illumination photodetector, Patent of the Republic of Belarus 15840 MPK H 01L 31/16.
• [9] Impurities and Defects in Group IV elements and III-V Compounds. Part a: Group IV Elements// Landolt- Börnstein- Group III Condensed Matter 41 (2002), A2a, 1-11.
• [10] Gusev O.K. et al The Identification algorithm of metrological characteristics of wide-range photovoltaic semiconductor converters with multiply impurities. Devices and methods of measurements, 3 (2011), n.2, 19-22.
• [11] Khudaverdyan S. Kh., Photo-detecting characteristics of double barrier structures, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment, 504 (2003), n.1-3, 350- 353.
• [12] Vorobey R.I., Gusev O.K., Kireenko V.P., Svistun A.I., Tyavlovsky K.L., Shadurskaya L.I., Yarjembitskaya V.B., Photoelectric null detectors for data transmitting systems, Sensors and Systems, (2006), n.7, 42-44.