Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

• Autorzy: Gryglewski D. , Góralczyk M. , Sokół S.

Warianty tytułu

EN

L-band LNA Amplifier with GaN PolHEMT

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz.

EN

In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz niskoszumny; mikrofala; GaN; HEMT; tranzystor; modelowanie; układ aktywny

EN

LNA; amplifier; microwave; GaN; HEMT; transistor; modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 36--40
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys.

Twórcy

autor

Gryglewski D.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Góralczyk M.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00- 665 Warszawa

autor

Sokół S.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Gryglewski, Wojtasiak W., Morawski T., Szyki fazowane z zasilaniem rozproszonym, rozdział 4 w monografii pod edycją W. Zieniutycza, Współczesne technologie radarowe. Anteny o sterowanej wiązce w technice radarowej, WKŁ 2012, 189-224
• [2] Gupta M. and Greiling P., Microwave Noise Characterization of GaAs MESFET's: Determination of Extrinsic Noise Parameters, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 36, No. 4, April 1988, 745-751
• [3] Golio J.M., Microwave MESFETs and HEMTs, Boston: Artech House, 1991