Kinetyka wzrostu polikrystalicznych warstw diamentowych otrzymanych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej

• Autorzy: Banaszak-Piechowska A.

Identyfikatory

DOI

10.15199/62.2016.9.38

Warianty tytułu

EN

Kinetics of the growth of polycrystalline diamond layers produced by chemical vapor deposition

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy diamentowe są materiałem o dużym potencjale aplikacyjnym ze względu na ich specyficzne właściwości. Jakość polikrystalicznych warstw diamentowych zależy od wielkości mikrokrystalitów i zawartości fazy węgla amorficznego. W ogólności w mikrokrystalitach o małych rozmiarach mogą występować zniekształcenia wiązań sp³ oraz zerwane wiązania na granicach ziaren, jak również naprężenia, zarówno ściskające, jak i rozciągające, powstające podczas procesu wzrostu. Właściwości strukturalne oraz kinetyka wzrostu warstw była badana techniką elektronowej mikroskopii skaningowej oraz spektroskopii Ramana.

EN

Polycryst. diamond layers were deposited by hot-fiber CVD (MeOH) on Si substrate. Properties of the layers and their growth kinetics were studied by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy to explain the structural transformations.

Słowa kluczowe

PL

warstwy diamentowe; właściwości strukturalne; kinetyka wzrostu warstwy; chemiczne osadzanie

EN

diamond layers; structural properties; kinetics; growth layers; chemical vapor deposition

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przemysł Chemiczny
• Rocznik: 2016
• Tom: T. 95, nr 9
• Strony: 1847--1850
• Opis fizyczny: Bibliogr. 27 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Banaszak-Piechowska A.

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Kazimierza Wielkiego w Bydgoszczy, ul. Chodkiewicza 24/24a, 85-064 Bydgoszcz

Bibliografia

• [1] S. Jonas, J. Jaglarz, K. Kyzioł, M. Januś, E. Murawska, Inż. Materiałowa 2014, 35, 492.
• [2] S. Jonas, W.S. Ptak, W. Sadowski, E. Walasek, J. Chem. Vap. Deposition 1995, 4, 143.
• [3] F.P. Bundy, J. Geophys. Res. 1980, 85, 6930.
• [4] A. Szulc, Y. Zorenko, L. Mosinska, Przem. Chem. 2012, 91, nr 1, 75.
• [5] J.C. Angus, H.A. Will, W.S. Stanko, J. Appl. Phys. 1968, 39, 2915.
• [6] P.K. Bachmann, D.U. Wiechert, Diamond Relat. Mater. 1992, 1, 422.
• [7] M.A. Prelas, G. Popovici, L.K. Bigelow, Handbook of industrial diamonds and diamond films, CRC Press, 1997.
• [8] S.-T. Lee, Z. Lin, X. Jiang, Mater. Sci. Eng. R-Rep. 1999, 25, 123.
• [9] L. Constant, F. Le Normand, Thin Solid Films 2008, 516, 691.
• [10] P.W. May, Endeavour 1995, 19, 101.
• [11] M. Stammler, H. Eisenbeiß, J. Ristein, J. Neubauer, M. Göbbels, L. Ley, Diamond Relat. Mater. 2002, 11, 504.
• [12] R. Torz-Piotrowska, K. Fabisiak, K. Paprocki, M. Szybowicz, E. Staryga, A. Banaszak, J. Phys. Chem. Solids 2011, 72, 1225.
• [13] K. Fabisiak, R. Torz-Piotrowska, E. Staryga, M. Szybowicz, K. Paprocki, A. Banaszak, P. Popielarski, Mater. Sci. Eng. B. 2012, 177, 1352.
• [14] L. Ostrovskaya, V. Perevertailo, V. Ralchenko, A. Dementjev, O. Loginova, Diamond Relat. Mater. 2002, 11, 845.
• [15] F. Pinzari, P. Ascarelli, E. Cappelli, G. Mattei, R. Giorgi, Diamond Relat. Mater. 2001, 10, 781.
• [16] A. Cassie, S. Baxter, Trans. Faraday Soc. 1944, 40, 546.
• [17] N.G. Ferreira, E. Abramof, N.F. Leite, E.J. Corat, V.J. Trava-Airoldi, J. Appl. Phys. 2002, 91, 2466.
• [18] M. Frenklach, K.E. Spear, J. Mater. Res. 1988, 3, 133.
• [19] K. Fabisiak, M. Kowalska, M. Szybowicz, K. Paprocki, P. Popielarski, A. Wrzyszczynski, L. Mosinska, G.K. Zhusupkalieva, Adv. Eng. Mater. 2013, 15, 935.
• [20] L. Mosińska, K. Fabisiak, K. Paprocki, M. Kowalska, P. Popielarski, M. Szybowicz, A. Stasiak, Przem. Chem. 2013, 92, nr 6, 919.
• [21] L. Mosińska, P. Popielarski, P. Popielarski, W. Frankow, A. Banaszak-Piechowska, Przem. Chem. 2014, 93, nr 9, 1587.
• [22] L. Mosinska, K. Fabisiak, K. Paprocki, M. Kowalska, P. Popielarski, M. Szybowicz, Electrochim. Acta 2013, 104, 481.
• [23] A. Banaszak-Piechowska, R. Popielarski, W. Frankow, Przem. Chem. 2015, 94, nr 2, 201.
• [24] M. Pandey, R. D’cunha, A. Tyagi, J. Alloys Comp. 2002, 333, 260.
• [25] L. Mosinska, M. Kowalska, P. Popielarski, K. Fabisiak, K. Paprocki, M. Szybowicz, A. Wrzyszczynski, G.K. Zhusupkalieva, Mater. Sci. Poland 2013, 31, 146.
• [26] W.L. Wang, M.C. Polo, G. Sánchez, J. Cifre, J. Esteve, J. Appl. Phys. 1996, 80, 1846.
• [27] G. Gouadec, P. Colomban, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2007, 53, 1.