Badanie wpływu temperatury na charakterystyki fotoogniw

• Autorzy: Górecki K. , Krac E.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-145

Warianty tytułu

EN

Investigations of temperature influence on characteristics of solar cells

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 05-09.06.2014 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono stanowisko do pomiaru charakterystyk fotoogniw oraz model fotoogniwa dla programu SPICE. Poprawność opisanego modelu oraz użyteczność stanowiska pomiarowego zweryfikowano doświadczalnie dla wybranych ogniw monokrystalicznych i polikrystalicznych.

EN

In this paper the measurement set to measure dc characteristics of solar cells and the model of solar cells for SPICE are presented. The correctness of this model and the usefulness of the measurement set were verified experimentally for selected monocrystalline and polycrystalline solar cells.

Słowa kluczowe

PL

fotoogniwo; zjawiska cieplne; modelowanie; SPICE

EN

solar cells; thermal phenomena; modelling; SPICE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 9
• Strony: 95--98
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny

autor

Krac E.

• Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny

Bibliografia

• [1] M. H. Rashid, “Power Electronic Handbook”, Academic Press, Elsevier, 2007.
• [2] E. Klugmann-Radziemska, „Fotowoltaika w teorii i praktyce”, Wydawnictwo BTC, Legionowo, 2010.
• [3] P. Panek, “Fotowoltaika Polska 2011”, Elektronika, nr 6, 2011, s. 69–94.
• [4] M. G. Villalva, J. R. Gazoli, E. R. Filbo, “Comprehensive Approach to Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays”, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 24, No. 5, 2009, pp. 1198–1208.
• [5] W. Janke, „Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych”, WNT, Warszawa 1992.
• [6] J. Singh, “Semiconductor devices: basic principles”, John Wiley&Sons, 2000.
• [7] J. Montgomery, “100GW of solar PV; now installed in the world today”, http://www.renewableenergyworld.com/rea/news/article/2013/02/100-gw-of-solar-pv-nowinstalled-in-the-world-today.
• [8] W. Shockley, H. J. Queisser, “Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells”, J. Appl. Phys., Vol. 32, No. 3, 1961, pp. 510–519.
• [9] R. Singh, G. F. Alapatt, A. Lakhtakia, “Making Solar Cells a Reality in Every Home:Opportunities and Challenges for Photovoltaic Device Design”, IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol. 1, No.6, 2013, pp. 129–144.
• [10] C. H. Peters, I. T. Sachs-Quintana, J. P. Kastrop, S. Beaupr’e, M. Leclerc, M. D. McGehee, “High efficiency polymer solar cells with long operating lifetimes” Adv. Energy Mater., Vol. 1, No. 4, 2011, pp. 491–494.
• [11] K. Górecki, P. Górecki, „Elektrotermiczny stałoprądowy model fotoogniwa”, Elektronika nr 12, 2013, s. 62–64.
• [12] M. Rashid, H. Rashid, „SPICE for Power Electronics and Electric Power”, Taylor and Francis Group, LLC.
• [13] E. Gadjeva, M. Hristov, “Behavioral Parametrized SPICE Models of Photovoltaic Modules”, 20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and systems MIXDES 2013, pp. 355–359.
• [14] L. Castaner, S. Silvestre, „Modelling photovoltaic systems using Pspice”, John Wiley&Sons, 2002.
• [15] K. Górecki, P. Górecki, K. Paduch, “Modelling of solar cells characteristics with thermal phenomena taken into account”, Microtechnology and Thermal Problems in Electronics Microtherm, 2013, Łódź, pp. 298–303.
• [16] K. Znajdek, S. Walczak, M. Sibiński, „Analiza parametrów modułów PV różnych typów w warunkach rzeczywistych”, X Krajowa Konferencja Elektroniki KKE, 2011, Darłówko Wschodnie, pp. 128–133.
• [17] M. C. Garcia Alonso, J. L. Balenzategui, „Estimation of photovoltaic module yearly temperature and performance based on Nominal Operation Cell Temperature calculations”, Renevable Energy, Vol. 29, 1997, pp. 1997–2010.
• [18] J. Zarębski, K. Górecki, “Parameters Estimation of the D.C. Electrothermal Model of the Bipolar Transistor”, International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks, Devices and Fields. Vol. 15, No. 2, 2002, pp. 181–194.