Demonstrator wzmacniacza mocy w technologii wysokonapięciowej

• Autorzy: Lewandowski A. , Matyszkiel R. , Kaniewski P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2015.2.16

Warianty tytułu

EN

The demonstrator of power amplifier in high voltage technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W chwili obecnej rozwój technologii wytwarzania materiałów półprzewodnikowych i ferrytowych powoduje powstanie nowych możliwości. Zastosowanie nowoczesnych rozwiązań technologicznych przyczynia się do rozwiązania szeregu problemów występujących w konstrukcji dotychczas eksploatowanych urządzeń radiokomunikacyjnych wytwarzających dużą moc, takich jak efektywne odprowadzanie ciepła, większa sprawność, mniejsze gabaryty i masa. W chwili obecnej trendem światowym jest zwiększanie sprawności urządzeń, a tym samym zwiększenie ich użyteczności. W artykule przedstawiona zostanie koncepcja zastosowania ultra szerokopasmowych tranzystorów nowej technologii o większych sprawnościach od dotychczas powszechnie stosowanych. Parametry te zostały potwierdzone eksperymentalnie podczas badań demonstratora wzmacniacza mocy opracowanego na potrzeby systemu rozpoznawczo – zakłócającego. W opracowanym demonstratorze wzmacniacza zastosowane zostały tranzystory posiadające sprawność 35-45%, a uzyskana sprawność całkowita wzmacniacza osiągnęła od 25% do prawie 39%. Uniwersalność opracowanego demonstratora wzmacniacza powoduje, że może on być z powodzeniem zastosowany nie tylko w systemach walki elektronicznych ale również we wszystkich systemach gdzie potrzebne jest wytworzenie dużej mocy w tym również w systemach łączności (KF, UKF, VHF, łączność troposferyczna).

EN

At present, the development of semiconductor manufacturing technology and ferrite materials causes new possibilities. The use of modern technology helps to solve a number of problems which occur in the currently operating radio equipment generating high power, such as effective heat dissipation, higher efficiency, smaller size and weight. This article shows the concept of the use of new technology ultra-broadband transistors with higher efficiencies than the currently widely used. These parameters were confirmed experimentally during the tests of a demonstrator of the power amplifier, which was developed for EW system In the developed demonstrator of amplifier were used transistors with 35-45% efficiency. The resulting total efficiency of the amplifier has reached from 25% to almost 39%. The versatility of this amplifier means that it can be successfully applied in electronic warfare systems and also in all systems where it is necessary to produce high power including the communication systems (HF, VHF, UHF, tropospheric communications).

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz mocy; łączność KF

EN

power amplifier; HF communication

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2015
• Tom: Vol. 56, nr 2
• Strony: 69--71
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Lewandowski A.

• WAVECUBE, Góra Kalwaria

autor

Matyszkiel R.

• Wojskowy Instytut Łączności im. prof. dr hab. Janusza Groszkowskiego, Zegrze Południowe

autor

Kaniewski P.

• Wojskowy Instytut Łączności im. prof. dr hab. Janusza Groszkowskiego, Zegrze Południowe

Bibliografia

• [1] Bieńkowski Z., Poradnik Ultra Krótko Falowca, Warszawa WKŁ 1988.
• [2] Szóstka J.; Fale i anteny, Wydawnictwo Komunikacji i Łączności, Warszawa 2001.
• [3] Szóstka J.; Mikrofale – układy i systemy, Wydawnictwo Komunikacji i Łączności, Warszawa 2006.
• [4] Wojnar A., Systemy radiokomunikacji ruchomej lądowej, Warszawa WKŁ 1989.