Thermal Neutron Signal Analysis of SiC Sensors with the 10 ^BNeutron Converter Layer

• Autorzy: Królikowski I. , Gajda P.

Warianty tytułu

PL

Analiza sygnały detektora SIC z konwerterem neutronów 10^B pod wpływem termicznych neutronów

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Analysis of the signal formation in SiC sensors including the 10^B neutron converter layer is presented. The response of the sensor collected under thermal neutrons during experiment performed in research react BR1 is shown. The experimental response was correctly reproduced by author’s code. Computer simulation allows for detailed analysis of the signal formation in the sensor. Signal coming from the neutron converter was separated and sources of peaks observed in the response are identified.

PL

Analiza tworzenia sygnału w SiC detektorze zawierającym konwerter neutronów bazujący na 10^B została zaprezentowana. Pokazano sygnał zebrany przez sensor pod wpływem neutronów termicznych, eksperyment został przeprowadzonym w reaktorze badawczym BR1. Eksperymentalny sygnał został poprawnie odwzorowany przez narzędzie komputerowe stworzone przez autorów. Symulacje komputerowe pozwoliły na szczegółowa analizę tworzenia sygnału, co pozwoliło na odseparowanie sygnału pochodzą cego od konwertera neutronów. Dodatkowo zidentyfikowano źródła piki występujące w odpowiedzi detektora.

Słowa kluczowe

EN

SiC; sensor; neutron converter layer; boron; thermal neutrons; response; signal; modeling

PL

SiC; sensor; konwerter neutronów; reaktor badawczy; odpowiedź; sygnał; modelowanie

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Poznański Instytut Technologiczny
• Czasopismo: Logistyka
• Rocznik: 2014
• Tom: nr 4
• Strony: 4543--4549, CD6
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr., wz.

Twórcy

autor

Królikowski I.

• AGH University of Science and Technology, Faculty of Energy and Fuels, Department of Nuclear Energy

autor

Gajda P.

• AGH University of Science and Technology, Faculty of Energy and Fuels, Department of Nuclear Energy

Bibliografia

• 1] Cetnar J., Królikowski I., SiC detector simulation methodology concerning neutrons, AGH University of Science and Technology, Cracow, Report of the I_SMART project, 2012.
• [2] Colinge J.P., Colinge C. A., Physics of semiconductors devices, Kluwer Academic Publisher, 2002.
• [3] Geant4: Physics Reference Manual. Version: geant4 10.0. 2013
• [4] KnollG. F, Radiation Detection and Measurement, 3rdedition 2010.
• [5] MATLAB – Getting Started Guide, Version R2011b, The MathWorks Inc., 2011
• [6] Ruddy F. H., Dullo A. R., Seidel J. G., Das M. K., Sei-HyungRya, AgarwalA. K., The fast neutron response of 4H silicon carbide semiconductor radiation detectors, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 53, No. 3, June 2006.
• [7] Ziegler J. F.,Biersack J. P., The Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM-2008, SRIM.org, Annapolis, MD USA, 2008