Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

• Autorzy: Kuchta D. , Wojtasiak W.

Warianty tytułu

EN

Lband PolHEMT GaN based Power Amplifier

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.

EN

One of the Pol-HEMT project aims is to implement the GaN HEMT structures in microwave circuits commonly used in T/R modules for radiolocation systems. In this paper project and experimental results of 1W L-band power amplifier with GaN PolHEMT structure are presented.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz mocy; mikrofala; GaN; HEMT; tranzystor; modelowanie; moduł N/O; układ aktywny

EN

power amplifier; microwave; GaN; HEMT; transistor; modelling; T/R module

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 109--112
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., rys.

Twórcy

autor

Kuchta D.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Wojtasiak W.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Wojtasiak W., Gryglewski D., A 100 W SiC MESFET Amplifier for L-band T/R Module of APAR, Int. Journal of Electronics and Telecommunications 2011, no. 3, vol. 57, 135-140
• [2] Gryglewski D., Wojtasiak W., Morawski T., Szyki fazowane z zasilaniem rozproszonym, rozdział 4 w monografii pod edycją W. Zieniutycza, Współczesne technologie radarowe. Anteny o sterowanej wiązce w technice radarowej, WKŁ 2012, 189-224