Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

• Autorzy: Grzejszczak Piotr , Czaplicki Adam , Szymczak Marek , Barlik Roman

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2020.06.17

Warianty tytułu

EN

The impact of snubber circuits on switching energy losses in high frequency converters

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niniejsza praca dotyczy analizy procesów łączeniowych w gałęzi z szybkimi tranzystorami MOSFET. Opisano podstawowe zjawiska towarzyszące szybkim procesom łączeniowym oraz zdefiniowano źródła drgań wartości chwilowych prądu i napięcia na łącznikach. Przybliżono znane z literatury sposoby ograniczania przepięć i tłumienia pasożytniczych drgań obwodu komutacyjnego. Podstawowym celem prowadzonych badań była analiza wpływu obwodów odciążających na łączeniowe straty energii, które są szczególnie istotne w przekształtnikach wysokiej częstotliwości.

EN

This work is devoted to influence of snubber circuits to the fast MOSFET switching. Basic phenomena associated with fast switching were described and sources of transistor current and voltage ringing were defined. The most popular methods of limiting overvoltage and suppressing of parasitic ringing of the MOSFET circuit were presented. The main purpose of the research was the impact of snubber circuits on MOSFET switching energy losses analysis, which are very important in high frequency converters.

Słowa kluczowe

PL

obwód odciążający; łączeniowe straty mocy; tranzystor mocy MOSFET; przekształtnik wysokiej częstotliwości

EN

snubber circuit; switching energy losse; power MOSFET; high frequency converter

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2020
• Tom: R. 96, nr 6
• Strony: 93--97
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Grzejszczak Piotr

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny, pl. Politechniki 1, 00-661 Warszawa

autor

Czaplicki Adam

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny, pl. Politechniki 1, 00-661 Warszawa

autor

Szymczak Marek

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny, pl. Politechniki 1, 00-661 Warszawa

autor

Barlik Roman

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny, pl. Politechniki 1, 00-661 Warszawa

Bibliografia

• [1] Chen J., Luo Q., Huang J., He Q., Sun P., Du X., Analysis and Design of an RC Snubber Circuit to Suppress False Triggering Oscillation for GaN Devices in Half-Bridge Circuits, IEEE Trans. on Power Electron. (2019 ), (Early Access)
• [2] Yi P., Cui Y., Vang A. Wei L., Investigation and evaluation of high power SiC MOSFETs switching performance and overshoot voltage, IEEE Applied Power Electron. Conf. and Exposition (APEC), San Antonio, TX, 2018, pp. 2589-2592
• [3] GN001 Application Guide Design with GaN Enhancement Mode HEMT, www.gansystems.com, 2018
• [4] Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R., Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych, Elektronika, 90 (2012), n.11, 74-77
• [5] Application Note AN 2012-03, Simple Design Techniques for Optimizing Synchronous Rectification from Infineon: www.infineon.com [2019]
• [6] Barlik R, Nowak M, Rąbkowski J. Poradnik inżyniera energoelektronika. T.2. (2015), WNT
• [7] Niewiara Ł.J., Skiwski M., Tarczewski T., Grzesiak L.M., Experimental study of snubber circuit design for SiC power MOSFET devices, Computer Applications in Electrical Engineering, 13 (2015), 120-131
• [8] Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R., Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku, Przegląd Elektrotechniczny, 91 (2015), n.9, 41-45
• [9] Yamashita Y., Furuta J., Inamori S., Kobayashi K., Design of RCD snubber considering wiring inductance for MHz-switching of SiC-MOSFET, IEEE 18th Workshop on Control and Modeling for Power Electron. (2017), Stanford, CA, 1-6.
• [10] Weiler A., Pakosta, Verma A., High-Speed Layout Guidelines, Application Report, A. Texas Instruments, www.ti.com [2019]
• [11] IRFS4010-7P, karta katalogowa, www.infineon.com [2019]

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).