Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

• Autorzy: Hruban A. , Orłowski W. , Strzelecka S. , Piersa M. , Jurkiewicz-Wegner E. , Mirowska A. , Rojek A.

Warianty tytułu

EN

[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].

EN

The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.

Słowa kluczowe

PL

arsenek galu; SI GaAs; metoda Czochralskiego; LEC; orientacja

EN

SI GaAs; gallium arsenide; Czochralski method; LEC; orientation

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2013
• Tom: T. 41, nr 2
• Strony: 18--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Hruban A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa; e-mail: [e-mail]

autor

Orłowski W.

autor

Strzelecka S.

autor

Piersa M.

autor

Jurkiewicz-Wegner E.

autor

Mirowska A.

autor

Rojek A.

Bibliografia

• [1] Obróbka termiczna monokryształów SI-GaAs o niskiej koncentracji płytkich domieszek resztkowych, Sprawozdanie ITME z pracy statutowej
• [2] Hruban A., Orłowski W., Mirowska A., Strzelecka S., Piersa M., Jurkiewicz - Wegner E., Materna A., Dalecki W.: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową, Materiały Elektroniczne, 2012, 40, nr 3, 38 - 46
• [3] Monokryształy SI GaAs o wysokiej ruchliwości nośników prądu, Sprawozdanie ITME z pracy statutowej
• [4] ASTM F 1404 - 92 Test method for crystallographic perfection of gallium arsenide by molten potassium hydroxide (KOH) Etch Technique; 1992
• [5] DIN 50454, Part 1, Testing materials for semiconductor technology: determination of dislocation etch pit density in materials of III-V compounds semiconductors; gallium arsenide
• [6] Abrahams M. S., Buichi C. J.: Etching of dislocations on the low‐index faces of GaAs, J. Appl. Phys., 1965, 36, 2855